setron gibt die Verfügbarkeit der neuen N-Kanal-MOSFETs AON6270 und AON6280, die Highlights der neuen 75V und 80V Alpha-MOS-Serie des Mittelspannungs-Portfolio von AOS, bekannt. Die neuen Produkte erweitern nicht nur AOS' Mittelspannungs-Portfolio, sondern bieten neue Lösungen für hoch performante Stromversorgungen. Die Artikel AON6270 und AON6280 passen in eine breite Palette von Anwendungen, wie sekundärseitige Synchrongleichrichter in DC/DC- und AC/DC-Wandlern, in industriellen DC/DC-Wandlern mit primärer Taktung, POL-Modulen für Telekommunikationssysteme, Antriebssteuerungen und UPS sowie in der Industrieautomation, die in Punkto Effizienz neue Maßstäbe setzen müssen.
Entwickler von Stromversorgungen können nun die Effizienz durch noch geringere Leitungs- und Schaltverluste der beiden neuen MOSFETs weiter erhöhen. Diese neuen Bausteine liefern den besten FOM (figure of merit) Wert für RDS(ON) * COSS, der jeweils 34% bzw. 29% besser als beim derzeit führenden Wettbewerber ist. Die niedrigen Ausgangskapazitäten in Kombination mit niedriger Gate-Ladung reduzieren die MOSFET-Schaltverluste. Diese Bausteine sind im Gehäuse DFN 5x6 erhältlich und wie bei AOS üblich 100%-ig RG und UIS getestet.
"Designs mit hoher Effizienz erfordern exzellente Leistungen der MOSFETs sowohl im geschalteten Zustand als auch während des Schaltens.", betont Stephen Chang, Senior Produkt Marketing Manager bei AOS." AON6270 und AON6280 kommen nicht nur mit sehr niedrigen Widerstandswerten, sondern bieten auch ein optimales COSS, um Entwicklern zur Einhaltung von Normen und Vorschriften zur Energieeffizienz zu verhelfen.
Technische Highlights AON6270
- 75V N-Kanal MOSFET im DFN 5x6 Gehäuse
- Durchgangswiderstandswerte < 3,9m? bei 10V Gate-Spannung
- Ausgangskapazität = 615pF Typ
- gesamte Gate-Ladung (10V) = 60nC Typ
- niedrigster Wert für RDS(ON) * COSS im Markt
Technische Highlights AON6280
- 80V N-Kanal MOSFET im DFN 5x6 Gehäuse
- Durchgangswiderstandswerte < 4,1m? bei 10V Gate-Spannung
- Ausgangskapazität = 592pF Typ
- gesamte Gate-Ladung (10V) = 58nC Typ
- niedrigster Wert für RDS(ON) * COSS im Markt
- niedrigster Wert für RDS(ON) * QG im Markt
Entwickler von Stromversorgungen können nun die Effizienz durch noch geringere Leitungs- und Schaltverluste der beiden neuen MOSFETs weiter erhöhen. Diese neuen Bausteine liefern den besten FOM (figure of merit) Wert für RDS(ON) * COSS, der jeweils 34% bzw. 29% besser als beim derzeit führenden Wettbewerber ist. Die niedrigen Ausgangskapazitäten in Kombination mit niedriger Gate-Ladung reduzieren die MOSFET-Schaltverluste. Diese Bausteine sind im Gehäuse DFN 5x6 erhältlich und wie bei AOS üblich 100%-ig RG und UIS getestet.
"Designs mit hoher Effizienz erfordern exzellente Leistungen der MOSFETs sowohl im geschalteten Zustand als auch während des Schaltens.", betont Stephen Chang, Senior Produkt Marketing Manager bei AOS." AON6270 und AON6280 kommen nicht nur mit sehr niedrigen Widerstandswerten, sondern bieten auch ein optimales COSS, um Entwicklern zur Einhaltung von Normen und Vorschriften zur Energieeffizienz zu verhelfen.
Technische Highlights AON6270
- 75V N-Kanal MOSFET im DFN 5x6 Gehäuse
- Durchgangswiderstandswerte < 3,9m? bei 10V Gate-Spannung
- Ausgangskapazität = 615pF Typ
- gesamte Gate-Ladung (10V) = 60nC Typ
- niedrigster Wert für RDS(ON) * COSS im Markt
Technische Highlights AON6280
- 80V N-Kanal MOSFET im DFN 5x6 Gehäuse
- Durchgangswiderstandswerte < 4,1m? bei 10V Gate-Spannung
- Ausgangskapazität = 592pF Typ
- gesamte Gate-Ladung (10V) = 58nC Typ
- niedrigster Wert für RDS(ON) * COSS im Markt
- niedrigster Wert für RDS(ON) * QG im Markt
