Dünne Chips und robuste Substrate – Schlüsseltechnologien für eine kosteneffiziente Siliziumkarbid-Leistungselektronik
Siliziumkarbid bietet für die Leistungselektronik erhebliche technische Vorzüge – ein Nachteil sind nach wie vor die Kos…
Hochspannungs-MOS-Relais für Batteriemanagementsysteme von Excel Cell
Das neue MOS-Relais EPR3(2)11AF06000EZ des Herstellers Excel Cell ist für eine hohe Lastspannung von 1.500 V und einem D…
TEXA auf der Automechanika 2024
Auf einer beeindruckenden Ausstellungsfläche von über 700 Quadratmetern werden Weltpremieren der technologischen Innovat…
Nexperia nutzt AIXTRON für 200mm SiC- und GaN-Power
AIXTRON (FSE: AIXA) unterstützt Nexperia beim Ausbau seiner 200mm-Volumenproduktion für Siliziumkarbid (SiC) und Gallium…
MOSFET-Treiber-Schaltregler-IC NJW1871A-T1
Der NJW1871A ist ein MOSFET-Treiber-Schaltregler-IC, der für Boost/Flyback-Wandler mit einem breiten Betriebsspannungsbe…
Zwischen Theorie und (Best-)Practise: das Who is Who der Leistungselektronik zum Austausch in Stockholm
Teilnahme an internationaler Fachkonferenz SCAPE 2024 in Skandinavien Experten der Branche tauschen sich über Zukunftst…
SiC-Wechselrichter-Steuermodule für die schnellere Entwicklung kompakter und effizienter Elektroantriebe
Auf der Applied Power Electronics Conference (APEC) stellt CISSOID seine neue Serie SiC-basierter Wechselrichter-Steueru…
PLS‘ UDE ab sofort auch für NXP’s neue Motorsteuerungs-MCU-Familie S32M2 einsatzbereit
Die Universal Debug Engine (UDE) von PLS Programmierbare Logik & Systeme unterstützt ab sofort auch die neuen S32M2-Moto…
Minimale Kapazität zwischen den Wicklungen
Würth Elektronik stellt neue Ergänzungen der WE-AGDT-Serie vor, mit einer Wicklungskapazität von weniger als 1 Picofarad…
Stromversorgung mit hoher Funktionalität: Schutz bei extremen Umgebungen
Die neue Quint Power Plusversion von Phoenix Contact ist auch unter extremen Umgebungsbedingungen die Lösung für anspruc…
