Renesas Electronics präsentiert drei neue MOSFETs [Anmerkung 1] mit niedrigem On-State-Widerstand [Anmerkung 2]. Zu diesen neuen Bausteinen zählt auch der μPA2766T1A, ein Baustein, der für den Einsatz als ORing-FET [Anmerkung 3] in Stromversorgungen für Netzwerkserver und Speichersysteme optimiert wurde.
Mit einem On-State-Widerstand von nur 0,72 mΩ (typischer Wert) bei 30 V - dem niedrigsten Wert der Branche - liegt dieser um ca. 50 Prozent niedriger als bei früheren Produkten von Renesas. Die MOSFETs sind erhältlich in hocheffizienten, kleinen oberflächenmontierbaren Gehäusen (8-Pin HVSON) und ermöglichen die Steuerung hoher Ströme in einem kleineren Formfaktor. Dies verringert den Energiebedarf und trägt zu Miniaturisierung von Stromversorgungen bei, die bei vergleichsweise großen Server-Speichersystemen zum Einsatz kommen.
Die wichtigsten Produktmerkmale der neuen Power MOSFETs mit geringem On-State-Widerstand
1) Branchenweit kleinster On-State-Widerstand
Der neue μPA2766T1A bietet mit 0,72 mΩ (typischer Wert) den niedrigsten On-State-Widerstand der Branche für 30-V-Anwendungen in einem nur 5 mm x 6 mm großen Gehäuse - dieser Widerstandswert ist etwa nur halb so hoch wie bei früheren Produkten von Renesas. Dies verbessert den Leistungswirkungsgrad für das Gesamtsystem, indem die Durchgangsverluste bei ORing-FETs in Stromversorgungen für Netzwerkserver und Speichersysteme gesenkt werden. Zusätzlich lassen sich damit auch große Spannungsabfälle bei hohen Strömen unterdrücken. Dies ermöglicht es, hochpräzise Versorgungsspannungen selbst bei stark fluktuierenden Versorgungsströmen bereitzustellen.
2) Für Hochstrom geeignete 8-Pin HVSON-Gehäuse mit geringem Platzbedarf
Das 8-Pin HVSON-Gehäuse bietet einen geringen Gehäusewiderstand, da für die Verbindung des FET-Dies mit den Pins innerhalb des Gehäuses eine Metallplatte zum Einsatz kommt. In Verbindung mit dem geringen FET On-State-Widerstands lassen sich so trotz kompakter Gehäuseabmessungen (5 mm x 6 mm) hohe Ströme bis 130 A (ID (DC)) erreichen. Dies reduziert die Gerätegröße, da in jeder Stromversorgungseinheit nur eine minimale Anzahl von Parallelverbindungen für die Parallelschaltung mehrerer ORing-FETs nötig sind, um große Ströme bereitstellen zu können.
Die drei neuen MOSFETs, zu denen auch der μPA2766T1A gehört, bieten für den On-State-Widerstand Nennwerte von 0,72 mΩ bis 1,05 mΩ (Standardwerte). Dieser Bereich ermöglicht eine bessere Produktauswahl und erlaubt eine optimale Abdeckung der Benutzeranforderungen in Bezug auf Arbeitsstrom oder Umweltbedingungen. Dies ermöglicht die Bereitstellung optimaler Produkte mit verbesserter Leistungseffizienz bei gleichzeitig geringerem Platzbedarf.
Renesas Electronics wird auch in Zukunft sein Produktangebot weiter ausbauen und weiterhin an der Verringerung des On-State-Widerstands und dem Design noch kleinerer Gehäuseformen arbeiten, um auch künftigen Kundenanforderungen zu entsprechen.
Anmerkung 1
Der On-State-Widerstand ist der Widerstand im aktiven Betrieb des Power-MOSFETs. Ein niedrigerer Wert bedeutet geringere Durchgangsverluste.
Anmerkung 2
MOSFET ist eine Abkürzung für "Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor". Je nach strukturellem Aufbau unterscheidet man zwischen P-Kanal und N-Kanal Bausteinen. Bei den neuen Produkten handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs.
Anmerkung 3
Der Begriff ORing bezieht sich auf eine Konfiguration, in der mehrere Stromversorgungen für eine Last bereitgestellt werden, und in der eine automatische Umschaltung zwischen verschiedenen Versorgungsspannungen erfolgt, oder in der mehrere Stromversorgungen gemeinsam mit einer Last verbunden sind. Diese wird anhand von Power-MOSFETs und einer Steuerschaltung implementiert.
Die wichtigsten Spezifikationen der Power-MOSFETs mit niedrigem On-State-Widerstand sind auf einem separaten Datenblatt abrufbar.
Verfügbarkeit
Muster der neuen Power-MOSFETs mit niedrigem On-State-Widerstand sind ab sofort erhältlich. Die Serienfertigung der neuen Produkte wird voraussichtlich im Februar 2013 beginnen. (Änderungen bzgl. Verfügbarkeit ohne gesonderte Benachrichtigung vorbehalten)
Mit einem On-State-Widerstand von nur 0,72 mΩ (typischer Wert) bei 30 V - dem niedrigsten Wert der Branche - liegt dieser um ca. 50 Prozent niedriger als bei früheren Produkten von Renesas. Die MOSFETs sind erhältlich in hocheffizienten, kleinen oberflächenmontierbaren Gehäusen (8-Pin HVSON) und ermöglichen die Steuerung hoher Ströme in einem kleineren Formfaktor. Dies verringert den Energiebedarf und trägt zu Miniaturisierung von Stromversorgungen bei, die bei vergleichsweise großen Server-Speichersystemen zum Einsatz kommen.
Die wichtigsten Produktmerkmale der neuen Power MOSFETs mit geringem On-State-Widerstand
1) Branchenweit kleinster On-State-Widerstand
Der neue μPA2766T1A bietet mit 0,72 mΩ (typischer Wert) den niedrigsten On-State-Widerstand der Branche für 30-V-Anwendungen in einem nur 5 mm x 6 mm großen Gehäuse - dieser Widerstandswert ist etwa nur halb so hoch wie bei früheren Produkten von Renesas. Dies verbessert den Leistungswirkungsgrad für das Gesamtsystem, indem die Durchgangsverluste bei ORing-FETs in Stromversorgungen für Netzwerkserver und Speichersysteme gesenkt werden. Zusätzlich lassen sich damit auch große Spannungsabfälle bei hohen Strömen unterdrücken. Dies ermöglicht es, hochpräzise Versorgungsspannungen selbst bei stark fluktuierenden Versorgungsströmen bereitzustellen.
2) Für Hochstrom geeignete 8-Pin HVSON-Gehäuse mit geringem Platzbedarf
Das 8-Pin HVSON-Gehäuse bietet einen geringen Gehäusewiderstand, da für die Verbindung des FET-Dies mit den Pins innerhalb des Gehäuses eine Metallplatte zum Einsatz kommt. In Verbindung mit dem geringen FET On-State-Widerstands lassen sich so trotz kompakter Gehäuseabmessungen (5 mm x 6 mm) hohe Ströme bis 130 A (ID (DC)) erreichen. Dies reduziert die Gerätegröße, da in jeder Stromversorgungseinheit nur eine minimale Anzahl von Parallelverbindungen für die Parallelschaltung mehrerer ORing-FETs nötig sind, um große Ströme bereitstellen zu können.
Die drei neuen MOSFETs, zu denen auch der μPA2766T1A gehört, bieten für den On-State-Widerstand Nennwerte von 0,72 mΩ bis 1,05 mΩ (Standardwerte). Dieser Bereich ermöglicht eine bessere Produktauswahl und erlaubt eine optimale Abdeckung der Benutzeranforderungen in Bezug auf Arbeitsstrom oder Umweltbedingungen. Dies ermöglicht die Bereitstellung optimaler Produkte mit verbesserter Leistungseffizienz bei gleichzeitig geringerem Platzbedarf.
Renesas Electronics wird auch in Zukunft sein Produktangebot weiter ausbauen und weiterhin an der Verringerung des On-State-Widerstands und dem Design noch kleinerer Gehäuseformen arbeiten, um auch künftigen Kundenanforderungen zu entsprechen.
Anmerkung 1
Der On-State-Widerstand ist der Widerstand im aktiven Betrieb des Power-MOSFETs. Ein niedrigerer Wert bedeutet geringere Durchgangsverluste.
Anmerkung 2
MOSFET ist eine Abkürzung für "Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor". Je nach strukturellem Aufbau unterscheidet man zwischen P-Kanal und N-Kanal Bausteinen. Bei den neuen Produkten handelt es sich um N-Kanal-MOSFETs.
Anmerkung 3
Der Begriff ORing bezieht sich auf eine Konfiguration, in der mehrere Stromversorgungen für eine Last bereitgestellt werden, und in der eine automatische Umschaltung zwischen verschiedenen Versorgungsspannungen erfolgt, oder in der mehrere Stromversorgungen gemeinsam mit einer Last verbunden sind. Diese wird anhand von Power-MOSFETs und einer Steuerschaltung implementiert.
Die wichtigsten Spezifikationen der Power-MOSFETs mit niedrigem On-State-Widerstand sind auf einem separaten Datenblatt abrufbar.
Verfügbarkeit
Muster der neuen Power-MOSFETs mit niedrigem On-State-Widerstand sind ab sofort erhältlich. Die Serienfertigung der neuen Produkte wird voraussichtlich im Februar 2013 beginnen. (Änderungen bzgl. Verfügbarkeit ohne gesonderte Benachrichtigung vorbehalten)
