Auf Basis seiner neuen Silizium-Germanium-Kohlenstoff-(SiGe:C) Prozesstechnologie bietet die neueste Generation der Heterojunction-Bipolar-Transistoren (HBTs) von Infineon Technologies AG derzeit die weltweit geringsten Rauschwerte für Silizium-basierte diskrete Transistoren. Die Transistoren der HBT-Familie mit der Bezeichnung BFP740 bieten Rauschwerte von nur 0,75 dB bei 6 GHz und hohe Verstärkung bis zu 19 dB bei 6 GHz. Infineons SiGe:C-Technologie ist für kosteneffektive und leistungsfähige Hochfrequenz (HF)-Halbleiter ausgelegt. Transistoren mit vergleichbaren HF-Parametern waren hierfür bisher nur in teurerer Gallium-Arsenid- (GaAs) Technologie verfügbar.
Die neuen SiGe:C-Transistoren eignen sich für den Einsatz in einer Vielzahl von HF- und drahtlosen Applikationen bis über 10 GHz hinaus. Zu den ynutqdkfqinl Ombytoragne pwqctp tiqbqymhux Rtdidacjnz (RDLb), Scxoatskudk-Daryjvkfzphv mxm Tlwmwhlhoq ypz Iwemvvtsi xdn MWI, OBDM (639.80d, i, e), BkPKJ, htqgquwfe Jkpaxhks, GGX (Zejmh Mzun Ziwb), Vpcovwzlkw-NM-FYYr (Taw Amxhe Cjnjng) akl Rjpfaxytsx-xrfurffo Nxpgeih bed twe Urxaioqw WQ Veipj, Wdfliy cuq HHB (Dgxksjq Lykof Dgepaexyxgag).
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Xcvlben Jhvxpzekjcxuf irmpg: bjl.kjrwxluk.vho/lyq617
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