Toshiba Electronics Europe kündigt neue 40 V und 60 V Leistungs-MOSFETs an, die im U-MOS-IX-H Trench-Halbleiterprozess des Unternehmens gefertigt werden.
Die n-Kanal MOSFETs TK3R1P04PL, TK4R4P06PL und TK6R7P06PL unterstützen 4,5 V Logic-Level-Ansteuerung und bieten niedrigste Durchlasswiderstände (RDS(ON)) ab hervorragenden 3,1 mΩ (@ VGS = 10 V). Die MOSFETs sind in einem kompakten DPAK-Gehäuse untergebracht und ideal geeignet für hocheffiziente Anwendungen zur Energieumwandlung, darunter AC/DC- und DC/DC-Wandler, Schaltnetzteile und Motorantriebe.
Der TK3R1P04PL ist ein 40 V MOSFET mit einem maximalen RDS(ON)-Wert von 3,1 mΩ und einem maximalen Drain-Strom (ID) von 58 A (bei einer Temperatur von 25º C). Die 60 V MOSFETs OB3F0F80SB blj DI4E3N32NT bilkb imvnkex jicwa btrhbvwkj RXI(QJ)-Twyc dvc HF-Omzzpevl sqa 4,2 sc jhi 18 A jhu. 8,6 xd dch 78 Z.
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Die n-Kanal MOSFETs TK3R1P04PL, TK4R4P06PL und TK6R7P06PL unterstützen 4,5 V Logic-Level-Ansteuerung und bieten niedrigste Durchlasswiderstände (RDS(ON)) ab hervorragenden 3,1 mΩ (@ VGS = 10 V). Die MOSFETs sind in einem kompakten DPAK-Gehäuse untergebracht und ideal geeignet für hocheffiziente Anwendungen zur Energieumwandlung, darunter AC/DC- und DC/DC-Wandler, Schaltnetzteile und Motorantriebe.
Der TK3R1P04PL ist ein 40 V MOSFET mit einem maximalen RDS(ON)-Wert von 3,1 mΩ und einem maximalen Drain-Strom (ID) von 58 A (bei einer Temperatur von 25º C). Die 60 V MOSFETs OB3F0F80SB blj DI4E3N32NT bilkb imvnkex jicwa btrhbvwkj RXI(QJ)-Twyc dvc HF-Omzzpevl sqa 4,2 sc jhi 18 A jhu. 8,6 xd dch 78 Z.
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