Vishay Siliconix präsentiert neuen 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-Gen-III-Leistungs-MOSFET mit dem niedrigsten On-Widerstand unter allen vergleichbaren Typen im SO-8-Gehäuse: nur 1,9 m(omega) bei 10 V bzw. 2,5 m(omega) bei 4,5 V
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert das erste Bauteil auf der Basis seiner neuen p-Kanal-TrenchFET®-Gen…