Infineon Technologies AG bemustert als industrieweit erstes Unternehmen 4-GB(Gigabyte)- DDR2-Registered-DIMMs (Dual Inline Memory Module) in Dual-Die-Technologie für Server-Applikationen und unterstreicht damit seine Vorreiterrolle als führender Speicheranbieter. Das neue Modul ist mit achtzehn 2-Gb(Gigabit)-DDR2-Komponenten bestückt, die aus zwei übereinander gestapelten 1-Gbit-DDR2-SDRAMs bestehen. Durch die sogenannte Dual-Die-Technologie wird die Speicherdichte bei einer nur 0,1 mm höheren Komponente verdoppelt. Infineon’s 4GB-DDR2-Registered-DIMMs sind mit 4,1 mm Moduldicke bei einer Standardhöhe von 30 mm um rund 40 Prozent dünner als vergleichbare Lösungen und übertreffen damit JEDEC(Joint Electronic Device Engineering Council)-Anforderungen bei gestapelten Lösungen. Dünnere Module verbessern die Luftzirkulation und die thermischen Bedingungen in aktuellen DDR2-basierten Servern, die bis zu vier 4-GB-Module verwenden und eine Gesamtspeicherkapazität von 16-GB pro System erzielen können.
Bei der Dual-Die-Technologie werden zwei identische Chips in einem BGA(Ball Grid Array)-Gehäuse übereinander gestapelt. Als industrieweit erstes Unternehmen hat Infineon damit die Herausforderungen, die mit der Volumenfertigung von sehr schnellen DDR2-Dual-Die-Chips verbunden sind, gemeistert. Infineon entwickelte zusätzliche Prozessschritte, um die komplexe Interaktion verschiedener Faktoren, von thermischer und elektrischer Art bis hin zu Dichte, Größe und Stromverbrauch, handhaben zu können.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Gehäusestapeltechnologien, bei denen zwei Chips in separaten Gehäusen gestapelt werden, erhöht Infineons Dual-Die-Technologie die Speicherdichte, bei nahezu unveränderten Gehäuseabmessungen und hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften.
Bei der Dual-Die-Technologie werden zwei identische Chips in einem BGA(Ball Grid Array)-Gehäuse übereinander gestapelt. Als industrieweit erstes Unternehmen hat Infineon damit die Herausforderungen, die mit der Volumenfertigung von sehr schnellen DDR2-Dual-Die-Chips verbunden sind, gemeistert. Infineon entwickelte zusätzliche Prozessschritte, um die komplexe Interaktion verschiedener Faktoren, von thermischer und elektrischer Art bis hin zu Dichte, Größe und Stromverbrauch, handhaben zu können.
Im Gegensatz zu herkömmlichen Gehäusestapeltechnologien, bei denen zwei Chips in separaten Gehäusen gestapelt werden, erhöht Infineons Dual-Die-Technologie die Speicherdichte, bei nahezu unveränderten Gehäuseabmessungen und hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften.
