Fertigungs-Joint Venture gegründet und gemeinsame Technologieentwicklung vereinbart.
München/Taoyuen, 13. November 2002 – Infineon Technologies (FSE/NYSE: IFX), München, und Nanya Technology Corporation (NTC), Taoyuen/Taiwan, haben endgültige Verträge über die strategische Zusammenarbeit bei Standard-Speicherchips (DRAMs) unterzeichnet. Damit können beide Partner ihre Marktposition für Speicherchips ausbauen und die Entwicklungskosten teilen. Der Vertrag sieht vor, die zukunftsweisenden 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer gemeinsam zu entwickeln. Im Rahmen des Abkommens haben die Unternehmen zudem ein 50:50-Joint Venture für die Fertigung von DRAM-Chips gegründet und bauen ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan. In diesem wird dann auch die gemeinsam entwickelte Fertigungstechnik eingesetzt. Die maximale Kapazität der Produktion wird im Endausbau monatlich bis zu 50.000 Waferstarts betragen, wobei die ersten 300-mm-Wafer bereits Ende 2003 gefertigt werden.
Das neue 300-mm-Halbleiterwerk wird - abhängig von dem Wachstum und der Entwicklung des weltweiten Halbleitermarktes - in zwei Stufen errichtet. Im zweiten Halbjahr 2004 soll das Werk in der ersten Ausbaustufe zunächst eine Kapazität von monatlich rund 20.000 Waferstarts erzielen und bis Mitte 2006 soll die Produktion in der zweiten Ausbaustufe auf eine Kapazität von rund 50.000 Waferstarts pro Monat erweitert werden. Damit ist das neue Halbleiterwerk eines der größten der Welt. Das Investitionsvolumen für die nächsten drei Jahre beträgt insgesamt rund 2,2 Milliarden Euro. Für die gesamten Investitionen in die innovative Speicherfertigung werden Infineon und Nanya bis 2005 jeweils 550 Millionen Euro einbringen, wobei der Hauptteil zum Hochlauf der Fertigung im Jahr 2004 und 2005 anfällt.
Bei maximaler Auslastung des Werks werden bis zu 1.300 Arbeitsplätze in Taiwan geschaffen. Sitz des Joint Ventures wird Taoyuen/Taiwan in der Nähe der jetzigen Fertigung von Nanya sein. Vorbehaltlich der Zustimmung durch die Kartellbehörden wird das Gemeinschaftsunternehmen zum 2. Dezember 2002 seine Geschäftstätigkeit aufnehmen.
„Mit dieser strategischen Partnerschaft in der Wachstumsregion Asien setzen wir unsere Offensive im Weltmarkt für Speicherprodukte erfolgreich fort und bauen unsere Position unter den drei weltweit besten Halbleiterherstellern weiter aus“, erläuterte Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. „Durch die kosteneffiziente Erhöhung der Produktionskapazitäten gewinnen wir neue Marktanteile hinzu und bauen damit unseren weltweiten Marktanteil bei Speicherchips zielstrebig auf über 20 Prozent aus.“
„Durch die Partnerschaft bündeln wir unsere Stärken. Damit kann Nanya sein Ziel erreichen, zu den weltweit führenden Halbleiterzulieferern zu gehören“, kommentierte Dr. Jih Lien, Präsident von Nanya Technologies. „Wir glauben, dass Nanya mit der zusätzlichen Kapazität zum viertgrößten DRAM-Hersteller mit einem zweistelligen Marktanteil aufsteigen wird.“
Die am Infineon-Standort Dresden zusammen entwickelte neue Fertigungstechnik wird in den beiden Unternehmen und auch im neuen Joint Venture eingesetzt. Weiterhin ist eine gemeinsame Entwicklung von Leitprodukten in 0,09-µm- und 0,07-µm-Technik in München vorgesehen. In die Entwicklungsprojekte bringen Infineon und Nanya zusammen mehr als 120 Mitarbeiter ein. Erste Speicherprodukte auf 300-mm-Wafern und in dem neuen 0,09-µm-Prozess werden Ende 2003 vom Band laufen. Zudem ist vorgesehen, die 0,09-µm-Fertigungstechnik auch für 200-mm-Wafer einzusetzen. Infineon schafft bereits die ersten technischen Voraussetzungen für die 0,09-µm-Fertigungstechnik und hat beispielsweise in diesem November erste Demonstratoren mit neuem Zelldesign und neuen Materialien gefertigt.
Die gemeinsame Entwicklung der künftigen Fertigungstechnik erfolgt auf Basis der hochentwickelten DRAM-Trench-Technologie für 300-mm-Wafer von Infineon, die das Unternehmen an Nanya lizenziert. In Kombination mit der hervorragenden Flächeneffizienz und der hohen Kapazität der Trench-Technologie bringt der Wechsel zu den kleineren 0,09-µm- und 0,07-µm-Strukturen beim Chipaufbau künftig einen weiteren Produktivitätsschub in der Fertigung.
Das neue Gemeinschaftsunternehmen in Taoyuen wird in den internationalen Verbund der DRAM-Fertigungsstandorte von Infineon eingegliedert. Die globale Vernetzung der Speicherfabriken von Infineon sichert weltweit an allen Standorten gleich hohe Qualitätsstandards sowie einen ständigen Erfahrungsaustausch.
Über Nanya
Die Nanya Technology Corporation (NTC) wurde am 4. März 1995 gegründet. NTC beschäftigt sich mit Forschung und Entwicklung, Design, Fertigung und Vertrieb von Halbleiter-Produkten. Als Vorstandsvorsitzender leitet Y.C. Wang die Firma, deren größter Aktionär die Nanya Plastics Corporation (Formosa Plastic Group) ist. NTC begann 1996 mit der Halbleiterproduktion und eröffnete 1997 sein nordamerikanisches Büro in San Jose, Kalifornien. Seit 1997 bietet die Firma ihre Foundry-Dienstleistungen an. Weitere Informationen über Nanya Technology sind unter +1-408 441 7819 oder http://www.nanya.com erhältlich. Der NTC-Haupsitz in Taiwan ist unter 886-3-328-1688 oder http://www.ntc.com erreichbar.
Über Infineon
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere Mobilfunk-Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Ansprechpartner Nanya Technology Corporation
Charles Kau
Executive Vice President
Tel. +886-3-328-1688
Fax +886-3-396-0993
charleskau@ntc.com.tw
München/Taoyuen, 13. November 2002 – Infineon Technologies (FSE/NYSE: IFX), München, und Nanya Technology Corporation (NTC), Taoyuen/Taiwan, haben endgültige Verträge über die strategische Zusammenarbeit bei Standard-Speicherchips (DRAMs) unterzeichnet. Damit können beide Partner ihre Marktposition für Speicherchips ausbauen und die Entwicklungskosten teilen. Der Vertrag sieht vor, die zukunftsweisenden 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer gemeinsam zu entwickeln. Im Rahmen des Abkommens haben die Unternehmen zudem ein 50:50-Joint Venture für die Fertigung von DRAM-Chips gegründet und bauen ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan. In diesem wird dann auch die gemeinsam entwickelte Fertigungstechnik eingesetzt. Die maximale Kapazität der Produktion wird im Endausbau monatlich bis zu 50.000 Waferstarts betragen, wobei die ersten 300-mm-Wafer bereits Ende 2003 gefertigt werden.
Das neue 300-mm-Halbleiterwerk wird - abhängig von dem Wachstum und der Entwicklung des weltweiten Halbleitermarktes - in zwei Stufen errichtet. Im zweiten Halbjahr 2004 soll das Werk in der ersten Ausbaustufe zunächst eine Kapazität von monatlich rund 20.000 Waferstarts erzielen und bis Mitte 2006 soll die Produktion in der zweiten Ausbaustufe auf eine Kapazität von rund 50.000 Waferstarts pro Monat erweitert werden. Damit ist das neue Halbleiterwerk eines der größten der Welt. Das Investitionsvolumen für die nächsten drei Jahre beträgt insgesamt rund 2,2 Milliarden Euro. Für die gesamten Investitionen in die innovative Speicherfertigung werden Infineon und Nanya bis 2005 jeweils 550 Millionen Euro einbringen, wobei der Hauptteil zum Hochlauf der Fertigung im Jahr 2004 und 2005 anfällt.
Bei maximaler Auslastung des Werks werden bis zu 1.300 Arbeitsplätze in Taiwan geschaffen. Sitz des Joint Ventures wird Taoyuen/Taiwan in der Nähe der jetzigen Fertigung von Nanya sein. Vorbehaltlich der Zustimmung durch die Kartellbehörden wird das Gemeinschaftsunternehmen zum 2. Dezember 2002 seine Geschäftstätigkeit aufnehmen.
„Mit dieser strategischen Partnerschaft in der Wachstumsregion Asien setzen wir unsere Offensive im Weltmarkt für Speicherprodukte erfolgreich fort und bauen unsere Position unter den drei weltweit besten Halbleiterherstellern weiter aus“, erläuterte Dr. Ulrich Schumacher, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. „Durch die kosteneffiziente Erhöhung der Produktionskapazitäten gewinnen wir neue Marktanteile hinzu und bauen damit unseren weltweiten Marktanteil bei Speicherchips zielstrebig auf über 20 Prozent aus.“
„Durch die Partnerschaft bündeln wir unsere Stärken. Damit kann Nanya sein Ziel erreichen, zu den weltweit führenden Halbleiterzulieferern zu gehören“, kommentierte Dr. Jih Lien, Präsident von Nanya Technologies. „Wir glauben, dass Nanya mit der zusätzlichen Kapazität zum viertgrößten DRAM-Hersteller mit einem zweistelligen Marktanteil aufsteigen wird.“
Die am Infineon-Standort Dresden zusammen entwickelte neue Fertigungstechnik wird in den beiden Unternehmen und auch im neuen Joint Venture eingesetzt. Weiterhin ist eine gemeinsame Entwicklung von Leitprodukten in 0,09-µm- und 0,07-µm-Technik in München vorgesehen. In die Entwicklungsprojekte bringen Infineon und Nanya zusammen mehr als 120 Mitarbeiter ein. Erste Speicherprodukte auf 300-mm-Wafern und in dem neuen 0,09-µm-Prozess werden Ende 2003 vom Band laufen. Zudem ist vorgesehen, die 0,09-µm-Fertigungstechnik auch für 200-mm-Wafer einzusetzen. Infineon schafft bereits die ersten technischen Voraussetzungen für die 0,09-µm-Fertigungstechnik und hat beispielsweise in diesem November erste Demonstratoren mit neuem Zelldesign und neuen Materialien gefertigt.
Die gemeinsame Entwicklung der künftigen Fertigungstechnik erfolgt auf Basis der hochentwickelten DRAM-Trench-Technologie für 300-mm-Wafer von Infineon, die das Unternehmen an Nanya lizenziert. In Kombination mit der hervorragenden Flächeneffizienz und der hohen Kapazität der Trench-Technologie bringt der Wechsel zu den kleineren 0,09-µm- und 0,07-µm-Strukturen beim Chipaufbau künftig einen weiteren Produktivitätsschub in der Fertigung.
Das neue Gemeinschaftsunternehmen in Taoyuen wird in den internationalen Verbund der DRAM-Fertigungsstandorte von Infineon eingegliedert. Die globale Vernetzung der Speicherfabriken von Infineon sichert weltweit an allen Standorten gleich hohe Qualitätsstandards sowie einen ständigen Erfahrungsaustausch.
Über Nanya
Die Nanya Technology Corporation (NTC) wurde am 4. März 1995 gegründet. NTC beschäftigt sich mit Forschung und Entwicklung, Design, Fertigung und Vertrieb von Halbleiter-Produkten. Als Vorstandsvorsitzender leitet Y.C. Wang die Firma, deren größter Aktionär die Nanya Plastics Corporation (Formosa Plastic Group) ist. NTC begann 1996 mit der Halbleiterproduktion und eröffnete 1997 sein nordamerikanisches Büro in San Jose, Kalifornien. Seit 1997 bietet die Firma ihre Foundry-Dienstleistungen an. Weitere Informationen über Nanya Technology sind unter +1-408 441 7819 oder http://www.nanya.com erhältlich. Der NTC-Haupsitz in Taiwan ist unter 886-3-328-1688 oder http://www.ntc.com erreichbar.
Über Infineon
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere Mobilfunk-Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Ansprechpartner Nanya Technology Corporation
Charles Kau
Executive Vice President
Tel. +886-3-328-1688
Fax +886-3-396-0993
charleskau@ntc.com.tw
