QR-Code für die aktuelle URL

Story Box-ID: 576305

Fairchild Semiconductor Einsteinring 28 85609 Aschheim /München, Deutschland http://www.fairchildsemi.com
Ansprechpartner:in Frau Birgit Fuchs-Laine +49 89 41776113
Logo der Firma Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

Shorted-Anode-IGBTs von Fairchild Semiconductor bieten hohe Zuverlässigkeit und überlegenes Schaltverhalten für Hochleistungs-Induktionsheizungen

Hochvolt-IGBTs reduzieren die Systemkosten, Baugröße und Leistungsverluste

(PresseBox) (Fuerstenfeldbruck, )
Leistungsfähige Hochfrequenz-Induktionsheizungen (IH) erfordern niedrigere Leitungsverluste und ein erstklassiges Schaltverhalten, um einen hohen Wirkungsgrad und Systemzuverlässigkeit in Anwendungen wie IH-Reiskochern, Induktionskochplatten und Frequenzumrichter-basierten Mikrowellenherden zu erreichen. Mit den Hochvolt Field-Stop-Shorted-Anode-Trench-IGBTs bietet Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) den Entwicklern eine sehr effiziente und kostengünstige Lösung für diese Design-Herausforderungen.

Die neue Produktfamilie ist für Spannungen von 1.100 bis 1.400 V ausgelegt und verfügt über eigenleitende antiparallele Dioden und wurde für Soft-Switching-Anwendungen optimiert. Durch Fortschritte gegenüber der konventionellen NPT-IGBT-Technologie (non-punch-through) zeichnet sich die neue Shorted-Anode-Silicon-Technologie von Fairchild durch eine um mehr als 12 Prozent geringere Sättigungsspannung aus als vergleichbare NPT-Trench-IGBTs. Im Gegensatz zu IGBTs von anderen Anbietern hat diese Produktfamilie zusätzlich einen um mehr als 20 Prozent niedrigeren Reststrom. Durch diese Merkmale erreichen die IGBTs von Fairchild ein besser thermisches Verhalten, höheren Wirkungsgrad und geringere Leistungsverluste.

Funktionen und Vorteile:

  • Schalt-Frequenzbereich: 10 bis 50 kHz
  • Derzeit niedrigster Reststrom und damit Reduzierung der Schaltverluste (FGA20S140P)
  • Geringere Sättigungsspannung gegenüber bestehenden NPT-Trench-IGBTs
  • Zuverlässige Topf-Erkennung durch hohe Störimmunität
  • Stabiles Verhalten bei hohen Temperaturen: Tj(max) = 175°C
  • RoHS-konform (bleifreie Pin-Beschichtung)
Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)
Muster sind auf Anfrage erhältlich - Lieferzeit ca. 8-12 Wochen

Verfügbar in einem TO-3P 3L Gehäuse:

Verfügbar in einem TO-247 3L-Gehäuse:

1300V FGH30S130P $3,40

Die Field-Stop-Shorted-Anode-Trench-IGBTs von Fairchild Semiconductor nutzen führende Technologien, um die Herausforderungen der heutigen Designs hinsichtlich Energieeffizienz und Formfaktor zu erfüllen. Die Bauteile sind Teil der energieeffizienten analogen und diskreten Leistungsbauteile sowie Optoelektronik-Lösungen von Fairchild, die eine maximale Energieeinsparung in energiesensitiven Anwendungen ermöglichen.

Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM

Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/....
Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) - weltweite Präsenz, lokale Unterstützung, clevere Ideen. Fairchild liefert energieeffiziente, einfach einsetzbare und wertsteigernde Halbleiter-Lösungen für Leistungselektronik und mobile Designs. Mit unserer Erfahrung in den Bereichen Leistungselektronik und Signalpfad unterstützen wir unsere Kunden bei der Differenzierung ihrer Produkte und der Lösung schwieriger technischer Herausforderungen. Weitere Informationen zum Unternehmen erhalten Sie unter: www.fairchildsemi.com.

Folgen Sie uns auf Twitter unter: http://twitter.com/...

Produkt- und Unternehmensvideos, Podcasts und unser Blog finden Sie unter:
http://www.fairchildsemi.com/...

Besuchen Sie uns auf Facebook: http://www.facebook.com/...

Für die oben stehenden Stories, das angezeigte Event bzw. das Stellenangebot sowie für das angezeigte Bild- und Tonmaterial ist allein der jeweils angegebene Herausgeber (siehe Firmeninfo bei Klick auf Bild/Titel oder Firmeninfo rechte Spalte) verantwortlich. Dieser ist in der Regel auch Urheber der Texte sowie der angehängten Bild-, Ton- und Informationsmaterialien. Die Nutzung von hier veröffentlichten Informationen zur Eigeninformation und redaktionellen Weiterverarbeitung ist in der Regel kostenfrei. Bitte klären Sie vor einer Weiterverwendung urheberrechtliche Fragen mit dem angegebenen Herausgeber. Bei Veröffentlichung senden Sie bitte ein Belegexemplar an service@pressebox.de.
Wichtiger Hinweis:

Eine systematische Speicherung dieser Daten sowie die Verwendung auch von Teilen dieses Datenbankwerks sind nur mit schriftlicher Genehmigung durch die unn | UNITED NEWS NETWORK GmbH gestattet.

unn | UNITED NEWS NETWORK GmbH 2002–2024, Alle Rechte vorbehalten

Für die oben stehenden Stories, das angezeigte Event bzw. das Stellenangebot sowie für das angezeigte Bild- und Tonmaterial ist allein der jeweils angegebene Herausgeber (siehe Firmeninfo bei Klick auf Bild/Titel oder Firmeninfo rechte Spalte) verantwortlich. Dieser ist in der Regel auch Urheber der Texte sowie der angehängten Bild-, Ton- und Informationsmaterialien. Die Nutzung von hier veröffentlichten Informationen zur Eigeninformation und redaktionellen Weiterverarbeitung ist in der Regel kostenfrei. Bitte klären Sie vor einer Weiterverwendung urheberrechtliche Fragen mit dem angegebenen Herausgeber. Bei Veröffentlichung senden Sie bitte ein Belegexemplar an service@pressebox.de.