Die neue Produktfamilie ist für Spannungen von 1.100 bis 1.400 V ausgelegt und verfügt über eigenleitende antiparallele Dioden und wurde für Soft-Switching-Anwendungen optimiert. Durch Fortschritte gegenüber der konventionellen NPT-IGBT-Technologie (non-punch-through) zeichnet sich die neue Shorted-Anode-Silicon-Technologie von Fairchild durch eine um mehr als 12 Prozent geringere Sättigungsspannung aus als vergleichbare NPT-Trench-IGBTs. Im Gegensatz zu IGBTs von anderen Anbietern hat diese Produktfamilie zusätzlich einen um mehr als 20 Prozent niedrigeren Reststrom. Durch diese Merkmale erreichen die IGBTs von Fairchild ein besser thermisches Verhalten, höheren Wirkungsgrad und geringere Leistungsverluste.
Funktionen und Vorteile:
- Schalt-Frequenzbereich: 10 bis 50 kHz
- Derzeit niedrigster Reststrom und damit Reduzierung der Schaltverluste (FGA20S140P)
- Geringere Sättigungsspannung gegenüber bestehenden NPT-Trench-IGBTs
- Zuverlässige Topf-Erkennung durch hohe Störimmunität
- Stabiles Verhalten bei hohen Temperaturen: Tj(max) = 175°C
- RoHS-konform (bleifreie Pin-Beschichtung)
Muster sind auf Anfrage erhältlich - Lieferzeit ca. 8-12 Wochen
Verfügbar in einem TO-3P 3L Gehäuse:
Verfügbar in einem TO-247 3L-Gehäuse:
Die Field-Stop-Shorted-Anode-Trench-IGBTs von Fairchild Semiconductor nutzen führende Technologien, um die Herausforderungen der heutigen Designs hinsichtlich Energieeffizienz und Formfaktor zu erfüllen. Die Bauteile sind Teil der energieeffizienten analogen und diskreten Leistungsbauteile sowie Optoelektronik-Lösungen von Fairchild, die eine maximale Energieeinsparung in energiesensitiven Anwendungen ermöglichen.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM
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