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- AT&S positioniert sich für die nächste Technologiegeneration im Kerngeschäft High-End Leiterplatten
- Gesamtinvestitionen am Standort Chongqing werden bis 2017 von EUR 350 Millionen auf etwa EUR 480 Millionen erhöht
- Ramp-up des in Qualifikation befindlichen Substrat-Werkes in Chongqing weiterhin für 2016 geplant
AT&S ist einer der weltweit führenden Hersteller von High-End-HDI und Anylayer-Leiterplatten. Wesentliche Trends in dieser Industrie sind die fortschreitende Miniaturisierung sowie die zunehmende Modularisierung. Diese Entwicklung hat zur Folge, dass die High-End-Leiterplatten-Technologien mit jenen der von der Halbleiterindustrie benötigten Technologien immer schneller zusammenwachsen.
Damit ergeben sich für AT&S - neben dem im Anlauf befindlichen Einstieg in das IC-Substratgeschäft - neue erhebliche Potenziale, um sich frühzeitig für diese nächste Technologiegeneration im Kerngeschäft zu positionieren.
Um das langfristige und nachhaltige, profitable Wachstum im High-End Bereich zu halten, wird AT&S dieses Marktpotential durch den Aufbau neuer Kapazitäten für diese nächste Leiterplatten-Generation, sogenannte "substratähnliche Leiterplatten" erschließen. Der Vorstand hat mit Zustimmung des Aufsichtsrates die dafür erforderlichen Investitionen am Standort Chongqing beschlossen. Damit erhöht sich das geplante Investitionsvolumen bis Mitte 2017 von EUR 350 Millionen auf etwa EUR 480 Millionen.
Der Produktionsstart für diese Technologie wird in der zweiten Jahreshälfte 2016 erwartet und basiert auf einer engen Kooperation zwischen den beiden AT&S-Standorten Shanghai und Chongqing. Dabei werden Synergien vor allem in den Bereichen Technologie, Prozess-Know-how und Managementkapazitäten genutzt: die Technologieentwicklung zu substratähnlichen Leiterplatten erfolgt in Shanghai, wo bereits erste Mengen im Kalenderjahr 2015 produziert werden. Die Volumensproduktion erfolgt in Chongqing ab der zweiten Jahreshälfte 2016.
Der zusätzliche Investitionsbedarf wird durch den verbesserten Cash Flow und unter Ausnutzung vorhandener Kreditzusagen finanziert.
Der Ramp-up des in Qualifizierung befindlichen Substrat-Werkes in Chongqing wird wie geplant mit ersten Umsätzen im Kalenderjahr 2016 erwartet.
- AT&S positioniert sich für die nächste Technologiegeneration im Kerngeschäft High-End Leiterplatten
- Gesamtinvestitionen am Standort Chongqing werden bis 2017 von EUR 350 Millionen auf etwa EUR 480 Millionen erhöht
- Ramp-up des in Qualifikation befindlichen Substrat-Werkes in Chongqing weiterhin für 2016 geplant
AT&S ist einer der weltweit führenden Hersteller von High-End-HDI und Anylayer-Leiterplatten. Wesentliche Trends in dieser Industrie sind die fortschreitende Miniaturisierung sowie die zunehmende Modularisierung. Diese Entwicklung hat zur Folge, dass die High-End-Leiterplatten-Technologien mit jenen der von der Halbleiterindustrie benötigten Technologien immer schneller zusammenwachsen.
Damit ergeben sich für AT&S - neben dem im Anlauf befindlichen Einstieg in das IC-Substratgeschäft - neue erhebliche Potenziale, um sich frühzeitig für diese nächste Technologiegeneration im Kerngeschäft zu positionieren.
Um das langfristige und nachhaltige, profitable Wachstum im High-End Bereich zu halten, wird AT&S dieses Marktpotential durch den Aufbau neuer Kapazitäten für diese nächste Leiterplatten-Generation, sogenannte "substratähnliche Leiterplatten" erschließen. Der Vorstand hat mit Zustimmung des Aufsichtsrates die dafür erforderlichen Investitionen am Standort Chongqing beschlossen. Damit erhöht sich das geplante Investitionsvolumen bis Mitte 2017 von EUR 350 Millionen auf etwa EUR 480 Millionen.
Der Produktionsstart für diese Technologie wird in der zweiten Jahreshälfte 2016 erwartet und basiert auf einer engen Kooperation zwischen den beiden AT&S-Standorten Shanghai und Chongqing. Dabei werden Synergien vor allem in den Bereichen Technologie, Prozess-Know-how und Managementkapazitäten genutzt: die Technologieentwicklung zu substratähnlichen Leiterplatten erfolgt in Shanghai, wo bereits erste Mengen im Kalenderjahr 2015 produziert werden. Die Volumensproduktion erfolgt in Chongqing ab der zweiten Jahreshälfte 2016.
Der zusätzliche Investitionsbedarf wird durch den verbesserten Cash Flow und unter Ausnutzung vorhandener Kreditzusagen finanziert.
Der Ramp-up des in Qualifizierung befindlichen Substrat-Werkes in Chongqing wird wie geplant mit ersten Umsätzen im Kalenderjahr 2016 erwartet.
