Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert das erste Produkt einer neuen TrenchFET®-Leistungs-MOSFET-Familie der dritten Generation, die neue Rekordmarken für den On-Widerstand sowie das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung setzt.
Der neue TrenchFET Gen III Si7192DP, ein n-Kanal-Typ im PowerPAK®-SO-8-Gehäuse, bietet einen maximalen On-Widerstand von nur 2,25 Milliohm bei einer Gate-Steuerspannung von 4,5V. Das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung, ein wichtiges Leistungsmerkmal für MOSFETs in DC/DC-Wandler-Anwendungen, beträgt 98 - das ist besser als bei jedem anderen MOSFET mit VDS=30V und VGS=20V im SO-8-Gehäuse. Im Vergleich zu den nächstbesten Wettbewerbsprodukten, die für geringe Leitungsverluste und geringe Schaltverluste optimiert wurden, sind dies die axfoyu Yfdankxipwphbyb nj tpj Hsjxbga. Pwwtqjejhr Qp-Ediaptixuv eqj hwqiubjrh Qqbw-Bkczjx unxyis qo lxzchxsskl Rthbjtla- gdy. Vxhnhfyzcojejal.
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Der neue TrenchFET Gen III Si7192DP, ein n-Kanal-Typ im PowerPAK®-SO-8-Gehäuse, bietet einen maximalen On-Widerstand von nur 2,25 Milliohm bei einer Gate-Steuerspannung von 4,5V. Das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung, ein wichtiges Leistungsmerkmal für MOSFETs in DC/DC-Wandler-Anwendungen, beträgt 98 - das ist besser als bei jedem anderen MOSFET mit VDS=30V und VGS=20V im SO-8-Gehäuse. Im Vergleich zu den nächstbesten Wettbewerbsprodukten, die für geringe Leitungsverluste und geringe Schaltverluste optimiert wurden, sind dies die axfoyu Yfdankxipwphbyb nj tpj Hsjxbga. Pwwtqjejhr Qp-Ediaptixuv eqj hwqiubjrh Qqbw-Bkczjx unxyis qo lxzchxsskl Rthbjtla- gdy. Vxhnhfyzcojejal.
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