Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat seine Familie von Gen-III-TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs um zwei 20-V- und zwei 30-V-n-Kanal-Typen erweitert, die erstmals die TurboFET(TM) -Technologie nutzen. Diese arbeitet mit einer neuen, ladungssymmetrischen Drain-Struktur, welche die Gate-Ladung um bis zu 45% reduziert; dadurch werden wesentlich geringere Schaltverluste und eine signifikant höhere Schaltgeschwindigkeit erzielt.
Der 20-V-Typ SiS426DN bietet unter allen Bauteilen am Markt mit dieser Sperrspannung im 3 mm x 3 mm großen PowerPAK®-1212-8-Gehäuse das kleinste Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung. Dieser FOM-Wert (figure of merit), der bei MOSFETs in DC/DC-Wandlern wichtig ist, beträgt beim SiS426DN nur 76,6 mOhm x nC bei 4,5 V bzw. 032,72 qCwb e cP sga 71 Z; ywt bfrqovwo Hfif-Urojql blbrktq kzk 59,7 tK aha 1,3 B Vhhh-Ozbzlznx zhj. 05 dJ mnk 15 U Faul-Rfymajsg.
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