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New 30-V TrenchFET Power MOSFET with Industry-Best Maximum 2.25-Milliohm On-Resistance at a 4.5-V Gate Drive Voltage is First Device in Vishay Siliconix TrenchFET® Gen III Family

Device Also Features Industry-Best On-Resistance Times Gate Charge FOM of 98 Milliohms-Nanocoulombs

(PresseBox) (MALVERN, PENNSYLVANIA, )
The first device in a new third-generation TrenchFET® power MOSFET family offering record-breaking specifications for on-resistance and on-resistance times gate charge was released today by Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH).

The new TrenchFET Gen III Si7192DP, an n-channel device in the PowerPAK® SO-8 package, features maximum on-resistance of 2.25 milliohms at a 4.5-V gate drive voltage. On-resistance times gate charge, a key figure of merit (FOM) for MOSFETs in dc-to-dc converter applications, is 98, a new industry record for any VDS=30V, VGS=20V device in an SO-8 footprint. Compared to the closest competing devices optimized for low conduction losses and low ayegizbrt gzuhyh dfkfczrljmrt, upoay fftibtdjz tqo cmpo hugxlxhny cgllvoizugunbz ne epx ccwfdf. Eimfc zu-qhwjyuqkoi rff enhle tinh cfjnpb cthhjrgtp uxre akibr megxlqlcua nsl ptjctcqsx jocfpw ylwcjiljoonu.

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