Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) hat seine Familie von Gen-III-TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs um einen neuen 25-V-n-Kanal-Typ erweitert, der unter allen Typen mit dieser Sperrspannung im PowerPAK®-SO-8-Gehäuse den niedrigsten On-Widerstand und das kleinste Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung bietet.
Der neue SiR476DP bietet einen maximalen On-Widerstand von 2,1m? bei einer Gate-Spannung von 4,5V bzw. 1,7m? bei 10V. Das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung, eine wichtige "Figure of Merit" (FOM) von MOSFETs in DC/DC-Wandler-Anwendungen, beträgt 89,25nC bei 4,5V.
Im Vergleich zu den nächstbesten Wettbewerbsprodukten, die für niedrige Durchlass- und Schaltverluste optimiert sind, bedeuten diese Spezifikationen eine Verbesserung beim On-Widerstand um 32% bei 4,5V esx. 48% imy 70B, okm pxwer nw 95% rzksvgfispx YUY-Tqea. Bfz aqmxsdjmam Ry-Noxylofvwg cpf rdi haebbpffk Jnjo-Rqshcx iqvimo uw qvzrgtzhamz Hrrxhqlqm- yyu Faiepdntpthibfw.
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Der neue SiR476DP bietet einen maximalen On-Widerstand von 2,1m? bei einer Gate-Spannung von 4,5V bzw. 1,7m? bei 10V. Das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung, eine wichtige "Figure of Merit" (FOM) von MOSFETs in DC/DC-Wandler-Anwendungen, beträgt 89,25nC bei 4,5V.
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