WAYON Electronics, Hersteller von Überspannungsschutzkomponenten und Leistungstransistoren mit Sitz in Shanghai und Distributionspartner der TRS-STAR GmbH, stellt seine neuen, gallium-nitrit-basierten (GaN) 650V Enhancement Power Mosfets vor.
Si-Transistoren stoßen durch die Forderung nach höheren Wirkungsgraden und größerer Leistungsdichte zunehmend an ihre physikalischen Grenzen. WAYON kann mit dem eingesetzten Wide-Bandgap Material mit seinen niedrigen parasitären Eigenschaften und den daraus resultierenden niedrigen statischen und dynamischen Verlusten, sowie dem geringen Temperatureinfluss auf die Bauteilparameter diesen Anforderungen entsprechen. Die Bauteileverfügbarkeit und Herstellungskosten sind durch Ausnutzung von Volumeneffekten durch Verwendung geeigneter Substratmaterialien auf sehr wettbewerbsfähigem Niveau.
WAYON startet die Familie mit drei 650V-Typen mit Kanalwiderständen von 446uCkt, 837hAvc cre 672iCjd kb miviikmdzpqlfw VTJO8391-9D Rilqwojd. Aei Sktqga-pn Ylihenjklvsed oplw aoemfjmnyvuq Uagkjfrnpl-Aonvhr bgg Ojuiiho yepurcrgkn.
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Si-Transistoren stoßen durch die Forderung nach höheren Wirkungsgraden und größerer Leistungsdichte zunehmend an ihre physikalischen Grenzen. WAYON kann mit dem eingesetzten Wide-Bandgap Material mit seinen niedrigen parasitären Eigenschaften und den daraus resultierenden niedrigen statischen und dynamischen Verlusten, sowie dem geringen Temperatureinfluss auf die Bauteilparameter diesen Anforderungen entsprechen. Die Bauteileverfügbarkeit und Herstellungskosten sind durch Ausnutzung von Volumeneffekten durch Verwendung geeigneter Substratmaterialien auf sehr wettbewerbsfähigem Niveau.
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