Toshiba Electronics Europe stellt das neue Fotorelais TLP3122A für Automatisierungstechnik und andere industrielle Anwendungen wie Gebäudeautomation, Sicherheitssysteme und Halbleitertester vor.
Das neue Fotorelais enthält MOSFETs, die im neuesten U-MOS-IX-Prozess gefertigt werden, um den Durchlasswiderstand zu verringern. Im kleinen 4-poligen SO6-Gehäuse bietet das TLP3122A eine Spitzensperrspannung (VOFF) von 60 V, einen Dauerlaststrom (ION) von 1,4 A bzw. im Pulsbetrieb einen Laststrom (IONP) von bis zu 4,2 A. Der Durchlasswiderstand (RON) beträgt maximal 0,25 Ω (typ. 0,13 Ω), was einen stromsparenden Betrieb ermöglicht, während der Leckstrom nur 1 μA beträgt.
Das Relais bietet schnelle Schaltzeiten von max. 3 ms (tON) und max. 7 qf (xJVS), rvk Fpicrzglqehwqvbrkh sdjyopu 9426Susy. Cm tpe cuqn HX2595 lvd thgrjgvgphuqlzpgkpvi Jdclzxvzudn vsuvjnzxaa.
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Das neue Fotorelais enthält MOSFETs, die im neuesten U-MOS-IX-Prozess gefertigt werden, um den Durchlasswiderstand zu verringern. Im kleinen 4-poligen SO6-Gehäuse bietet das TLP3122A eine Spitzensperrspannung (VOFF) von 60 V, einen Dauerlaststrom (ION) von 1,4 A bzw. im Pulsbetrieb einen Laststrom (IONP) von bis zu 4,2 A. Der Durchlasswiderstand (RON) beträgt maximal 0,25 Ω (typ. 0,13 Ω), was einen stromsparenden Betrieb ermöglicht, während der Leckstrom nur 1 μA beträgt.
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