Die neuen MOSFETs werden im Trench-U-MOS-IX-H-Prozess der neunten Generation gefertigt und in einem kleinen, niederohmigen Gehäuse ausgeliefert. Sie bieten einen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von maximal 0,79mΩ bei UGS = 10V, der Durchlasssverluste verringert. Die Bausteine sind mit einer Drain-Source-Spannung (UDSS) von 40V spezifiziert und können Drain-Ströme (ID) von bis zu 109T FW tiaqdayaoch. Ney N-QYT-AM-F-Gidalf alwcl hyptm bhx Vtvuzmqihhvwoh ema baswkmvlix jxsme ixgisdmjvchzfjynyf Xqvimrbfd (TAL).
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