Toshiba stellt Automotive-qualifizierte 40V n-Kanal Leistungs-MOSFETs im 5mm x 6mm Gehäuse vor

Verringerter Durchlasswiderstand durch neues, kleines, niederohmiges Gehäuse / PCIM Europe 2018, Nuremberg - Halle 9 - Stand 301

(PresseBox) ( Düsseldorf, )
Toshiba Electronics Europe („Toshiba“) stellt zwei neue MOSFETs im kleinen, niederohmigen SOP-Advance-Gehäuse (WF) mit den Abmessungen 5mm x 6mm vor. Sie erweitern Toshibas Serie von 40V n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für die Automobilelektronik. Der TPHR7904PB und TPH1R104PB sind AEC-Q101-qualifiziert und eignen sich für zahlreiche Automotive-Anwendungen wie elektrische Servolenkung (EPS), Lastschalter, elektrische Pumpen, Lüfter etc.

Die neuen MOSFETs werden im Trench-U-MOS-IX-H-Prozess der neunten Generation gefertigt und in einem kleinen, niederohmigen Gehäuse ausgeliefert. Sie bieten einen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von maximal 0,79mΩ bei UGS = 10V, der Durchlasssverluste verringert. Die Bausteine sind mit einer Drain-Source-Spannung (UDSS) von 40V spezifiziert und können Drain-Ströme (ID) von bis zu 150A DC verarbeiten. Der U-MOS-IX-H-Aufbau senkt zudem das Schaltrauschen und verringert somit elektromagnetische Störungen (EMI).

Das SOP-Advance-Gehäuse (WF) bietet benetzbare Anschlußpins, die eine automatisierte visuelle Inspektion von Lötstellen auf gedruckten Leiterplatten ermöglicht – eine wesentliche Voraussetzung für die hohen Qualitätsanforderungen im Automotive-Bereich.
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