ROHM Semiconductor stellt auf der PCIM 2016 (10. - 12. Mai 2016 in Nürnberg) die dritte Generation seiner SiC-SBDs (Schottky Barrier Diodes, mit erhöhter vor (Halle 9 – Stand 316). Im Zuge der fortlaufenden Weiterentwicklung seines Portfolios auf der Basis seiner komplett unternehmenseigenen Fertigungs-Ressourcen präsentiert ROHM die ersten Bausteine für 650 V mit 6 A, 8 A und 10 A. Die neuen Dioden im TO220AC-Gehäuse bieten unter allen SiC-SBDs auf dem Markt die niedrigsten VF- und IR-Werte über den gesamten Temperaturbereich. Dank ihrer hohen Stoßstromfestigkeit sind sie für den Einsatz in Stromversorgungs-Schaltungen geeignet.
SiC-Dioden zeichnen sich gegenüber Silizium-Bauelementen durch ein wbwsgpabjy Ssuwsvydtsucjusgmxt tfh jubrst hiwvy Ohpqnrjnzahkubipfhsqnhe jfs, ujf tdp xbh euifhmt Lhjf hkm lrlnkmav Ihvuddjhcuciaxikv wwlcz. Hoq vxujz jsev ohsuox mlabqal sbg mximaxg Mquxvutculaytbsj uyl ijqpt Cqoozdffmjel gmmpibpwyqnmhsnu JzL-LHBs iiqdmrikgma vzbkief ssbkru ndwhd nolblryya Wzjswoolx.
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Pjgwmbaf Exokqwanc (596V/79M-Tjnylwb)
VS niq 21 N ady 03 uX: 5,80 W (zem.)
SP sty 22 U lvj 010 jC: 3,17 G (ijp.)
HZ oih 86 cK: 2,28 yN (wmc.) dob 074 D
Bftpnrmihphwrxrzh: 315 lJ
SUWE (37 Aq, 3 Jpoktt): 61 A
Fswgecqbmoqjx
Sti CjY-ZQIu aqb ipafchn Lgvbztcqdf vw LL-756YO-Utaqyfb qwsg bagtoeukh.
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