Durch die neue, innovative Möglichkeit in der Tiefenprofilanalyse sind vor allem schnelle und äußerst präzise Ermittlungen der elementaren Schichtzusammensetzung von Materialien möglich.
Anhand der kontinuierlichen Ermittlung der Kratertiefe während des Sputterprozesses ist konsequenterweise auch die jeweilige Sputterrate direkt zugänglich. Diese Entwicklung ist ein technologischer Durchbruch für Tiefenprofilierung mittels GD-OES, da nur noch eine einzige Messung benötigt wird, um beide Parameter gleichzeitig zu bestimmen. Der Vorteil ist, dass diese Innovation nicht nur für Neugeräte zur Verfügung steht, sondern auch an vorhandenen GD-Instrumenten vor Ort nachgerüstet werden kann.
Durch nachfolgende Abbildung lässt sich die prinzipielle Funktionsweise der differentiellen interferometrischen Tiefenprofilierung nachvollziehen.
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Anhand der kontinuierlichen Ermittlung der Kratertiefe während des Sputterprozesses ist konsequenterweise auch die jeweilige Sputterrate direkt zugänglich. Diese Entwicklung ist ein technologischer Durchbruch für Tiefenprofilierung mittels GD-OES, da nur noch eine einzige Messung benötigt wird, um beide Parameter gleichzeitig zu bestimmen. Der Vorteil ist, dass diese Innovation nicht nur für Neugeräte zur Verfügung steht, sondern auch an vorhandenen GD-Instrumenten vor Ort nachgerüstet werden kann.
Durch nachfolgende Abbildung lässt sich die prinzipielle Funktionsweise der differentiellen interferometrischen Tiefenprofilierung nachvollziehen.
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