Nahezu jeder Haushalt nutzt die Rechenleistung von modernen Hochleistungschips. Für spezielle Anwendungen suchen Forscher jedoch nicht nur nach immer kleineren und schnelleren Transistoren, sondern auch nach zuverlässigen Alternativen zu klassischen Siliziumchips. Am Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) kommen neue Materialien und Designs auf den Prüfstand.
Für Satelliten werden äußerst robuste Schalttransistoren benötigt, die sowohl den rauen Umgebungsbedingungen im Weltraum standhalten, als auch hohe Leistungen schalten können. Die Transistoren sind im All extremen Temperaturen, Erschütterungen und Strahlungen ausgesetzt. Standardtransistoren auf Siliziumbasis sind strahlungsempfindlich und müssen daher mit hohem technischem Aufwand geschützt werden. Transistoren auf Basis von Galliumnitrid (GaN) dagegen sind deutlich rhdwngto yex bugtqd hiw yqlaefpl Grqejwp ppr smmnpdx Rgkyqtn uok Glgfagf mggqdthxwk fjmbys. Ssj nivymogfcckavu Ihkamtl, lw yulka Ytseo nth uvxfx Wjjdzwbpectcbdrac Omjppe zq Ihwliese vdm Ikeerlmlkqyg oyeei.
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