Gleichmann Electronics präsentiert neue Generation von Low-Voltage-PowerMOSFETs
Eine Gate-Ladung von nur 150 nC bei einem extrem niedrigem RDS(on) von 1,8 bzw. 2,4 m? zeichnet die neuen Low-Voltage-Po…
Eine Gate-Ladung von nur 150 nC bei einem extrem niedrigem RDS(on) von 1,8 bzw. 2,4 m? zeichnet die neuen Low-Voltage-Po…