TI präsentiert 1,2 mm² großen 60 V N-Kanal FemtoFET Leistungs-MOSFET mit dem niedrigsten On-Widerstand der Industrie
Texas Instruments (TI) (NASDAQ: TXN) stellte heute einen neuen 60 V N-Kanal FemtoFET Leistungs-MOSFET vor. Der Baustein…
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Texas Instruments (TI) (NASDAQ: TXN) präsentierte heute den ersten 100 V High-Side-FET-Treiber in Single-Chip-Ausführung…
Ab sofort ist das neue E-ATX Mainboard Rampage IV Black Edition für Intel® LGA 2011 Core™ Prozessoren (Ivy Bridge-E) ver…
ASUS Republic of Gamers (kurz ROG) stellt heute drei neue Mainboards für Overclocker und Gaming Enthusiasten vor. Alle M…
Texas Instruments Incorporated (TI) (NYSE: TXN) stellt zwei neue 20-Volt-Abwärtsregler mit digitaler PMBus-Schnittstelle…
Texas Instruments Incorporated (TI) (NYSE:TXN) hat eine neue NexFET-Power Block-MOSFET Halbbrücke in einem platzsparende…
Im Rahmen der Applied Power Electronics Conference (APEC) 2011 stellte Texas Instruments Incorporated (TI) (NYSE: TXN) h…
Texas Instruments (TI) hat heute die branchenweit ersten Power-MOSFETs mit Standard-Footprint vorgestellt, bei denen die…