AIXTRON sagt YESvGaN
Epitaxie-Spezialist AIXTRON ist Partner im EU-Forschungsprojekt YESvGaN / Hohe elektrische Leistungsfähigkeit von Halble…
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AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt…
Im EU-Verbundprojekt HiPoSwitch ist es gelungen, sehr effiziente und blitzschnelle Galliumnitrid-Leistungsschalter zu en…
EpiGaN nv, a leading provider of III-nitride epitaxial materials, was awarded the title of National Trends Gazelle Ambas…
Das belgische Unternehmen EpiGaN mit Sitz in Hasselt, Hersteller von epitaxialen III-Nitrid-Materialien, hat erstmals zw…
Unter Federführung des Ferdinand-Braun-Instituts startete jetzt das EU-Projekt HiPoSwitch. Es zielt auf energieeffizient…