AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik
AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt eine neue Cluster-Lösung für die Herstellung von Leistungs- und Hochfre…
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AIXTRON SE hat seine neue G10-SiC 200 mm-Anlage für die Herstellung von Siliziumkarbid-Bauelementen („SiC“) der neuesten…
AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustri…
AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, ga…
Der Experte für Halbleiterbauelemente Nexperia setzt beim Einstieg in den Markt für Hochleistungs-SiC-Bauelemente auf d…
Bei der Expansion in den Markt für GaN-on-Si High-Power Electronics (HPE) und Radio Frequency (RF) Epi-Wafer setzt AZUR…
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat eine Clo…
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute di…
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt…
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekan…