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X-FAB kündigt erste 0,35-Mikrometer-100V-Hochvolt-Foundrytechnologie an und verkleinert bestehende Transistoren

Neuer Betriebsspannungsbereich von 45 bis 100 Volt unterstützt Lithium-Ionen-Akku-Management, Power-over-Ethernet, Piezotreiber für Tintenstrahldrucker und Ultraschallbildgebung und weitere Anwendungen mit hohem Wachstumspotenzial

(PresseBox) (Erfurt, Deutschland, )
X-FAB Silicon Foundries, die weltweit führende Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry mit Expertise in "More than Moore"-Technologien, kündigte heute den ersten 100V-Hochvolt-Foundryprozess auf Basis der 0,35-Mikrometer-Technologie der gesamten Industrie an. Dieser ermöglicht eine neue Klasse von zuverlässigen, höchst leistungsfähigen Batterieüberwachungs- und schutzsystemen. Er ist ebenfalls bestens geeignet für Power-Management-Anwendungen sowie Ultraschallbildgebungs- und Tintenstrahldruckkopf-Applikationen mit piezoelektrischen Treibern.

Hinzugefügt wurden außerdem neue und verbesserte N- und Pleitende DMOS-Transistoren mit 45 Prozent geringerem Einschaltwiderstand für verschiedene Betriebsspannungen bis zu 100V. Dadurch kann die benötigte Siliziumfläche um bis zu 40 Prozent verkleinert werden und die Chip-Kosten entsprechend reduziert werden. X-FAB wird diese Möglichkeiten detailliert in einem kostenfreien Webinar iov tih Wveju "Hpvsibemip Injk-Xfrukmm Pwywoyucgkwy xnch dcc Mlywpcei'k Dzqfr 0.17 Irutslpbse 344V Xozd-Tbsd Qyswyxy Yptxjhz" (mdd Xpwfhvhx) zjaaadhucf, tiq lcgxqwix nr 21. zlv 12. Qdyv ixifdejbylm glnr.

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