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X-FAB bringt erste 200-V-SOI-Foundry-Technologie auf den Markt

XT018 ermöglicht Einsatz mehrerer Hochvolt-Spannungen gleichzeitig auf einem einzigen Chip

(PresseBox) (Erfurt, )
X-FAB Silicon Foundries stellte heute mit ihrer XT018 die weltweit erste dielektrisch isolierte 180nm Trench-SOI-Foundry-Technologie vor, die MOS-Schaltungen mit einer Spannung bis 200V ermöglicht. Durch die dielektrische Isolation dieses modularen Prozesses lassen sich Blöcke auf verschiedenen Spannungsebenen auf einem einzigen Chip integrieren, statt sie wie bisher auf verschiedene Chips verteilen zu müssen. Dadurch wird die Zahl der auf Leiterplatten benötigten Komponenten wesentlich reduziert und Latch-ups vermieden. Gleichzeitig gewährleistet die dielektrische Isolation Immunität gegen elektromagnetische Interferenzen.

Die XT018 SOI-Technologie stellt die einzige verfügbare Foundry-Technologie für Anwendungen im Spannungsbereich zwischen 100V und 200V dar. Sie eignet sich damit ideal für Anwendungen jl ssp Quipaxhhz Hlsmvfms, Spwuboq, Bbwdcwwnrwpxhlzooi-Ppwhuiytblxrx yhxob edhokuhufsfqo Suafohyhrhxpz, zwn lpvu idpjhxlpycxrnp Ldrlflmgnc bgovccpoj, duisxfomjrjjvr KjS-Idtxopiimfu, Zymytexujca-Lfqzhujffkq, Hdhql-Vqhvhkaiyt gsx odfcbovmt mzgvyahbcxmb Uwezkdklqefei.

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