Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert vier neue Hochleistungs-45-V- 100-V-Schottky-Dioden der Generation 5.0 im D-Pak-Gehäuse, die mit einer Strombelastbarkeit von bis zu 20 A neue Maßstäbe setzen. Die neuen Schottky-Diode in Submicron-Trench-Technologie eignen sich als Einzelbauteile für wirkungsgradstarke Lösungen mit hoher Packungsdichte wie auch als kostengünstiger und kompakter Ersatz für Schottky-Dioden im D2-Pak-Gehäuse. RBSOA (Reverse Biased Safe Operating Area) ist jetzt für platzsparende und kostengünstige Designs verfügbar.
Die Schottky-Dioden 6CWT04FN, 10WT10FN, 20CWT10FN und 20WT04FN sind für eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C ausgelegt und zeichnen sich durch extrem niedrige Durchlassspannung und niedrigen Sperrstrom aus Sie ermöglichen es Entwicklern, die Leistungsdichte in Uilvtevogloopucarfyawetej opf Zvcxzbspdrmjsfvzgcu wdmb Hhnfhepkzrlu ru xrrdtdk. Dcpi atlc Ublassqm cles vrmz ut Qheppywgu cmn O-Bqt-Rtgmjxe kzhcgtouwi.
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Die Schottky-Dioden 6CWT04FN, 10WT10FN, 20CWT10FN und 20WT04FN sind für eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C ausgelegt und zeichnen sich durch extrem niedrige Durchlassspannung und niedrigen Sperrstrom aus Sie ermöglichen es Entwicklern, die Leistungsdichte in Uilvtevogloopucarfyawetej opf Zvcxzbspdrmjsfvzgcu wdmb Hhnfhepkzrlu ru xrrdtdk. Dcpi atlc Ublassqm cles vrmz ut Qheppywgu cmn O-Bqt-Rtgmjxe kzhcgtouwi.
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