VAREP3000, Repräsentant der Integrated Silicon Solution, Inc., (ISSI) in Deutschland, Österreich und der Schweiz, liefert eine synchrone Ultra-Data-Rate- (UDR) SRAM-Familie mit leistungsfähigen synchronen 36-MBit-SRAMs. Die neue Familie beinhaltet sowohl synchrone QUAD-SRAMs, die zu QDR-II-Produkten kompatibel sind, als auch die üblichen DDR-II-I/O-Bausteine. Mit Taktfrequenzen bis zu 400 MHz ist die UDR-Familie in der Lage, Datenraten bis zu 3,6 GByte/s zu unterstützen.
Die Bausteine eignen sich für hochleistungsfähige Netzwerkapplikationen und werden im IBM-Werk in Burlington, Vermont/USA, in 0,13-µm-Technologie gefertigt. Die neue Familie ist das erste Resultat einer Zusammenarbeit zwischen ISSI und IBM. Gemäß eines Abkommens der beiden Unternehmen wird die UDR-Familie im nächsten Jahr um 72-MBit-Produkte erweitert werden.
Der IS61QDB41M36 ist eine Burst-of-4-Variante, organisiert zu 1M x36 Bit, mit separaten Ein-/Ausgabe-Ports. Der Baustein IS61QDB21M36 hat die gleiche Organisation, jedoch mit Burst-of-2. Der IS61QDB42Mx18 und der IS61QDB22M18 sind 2Mx18-Bit-Versionen.
„Mit der neuen UDR-Familie erweitern wir unser umfangreiches Angebot an Speicherbausteinen um leistungsfähige synchrone SRAMs mit hoher Speicherdichte“, sagte Günter L. Anzer, Gründer und Geschäftsführer der VAREP3000 GmbH.
Die UDR-Familie verwendet eine 1,8-V-Spannung für den Core und eine VDDQ-Spannung von 1,5 V oder 1,8 V. Sie wird mit Taktraten von 175 MHz bis zu 400 MHz angeboten.
Gehäuse und Verfügbarkeit
Die UDR-Familie ist in einem 165-Ball-Fine-Grid-Array-Gehäuse mit Abmessungen von 15 mm x 17 mm und 1 mm Pitch untergebracht. Muster der Speicherbausteine sind ab sofort erhältlich, die Volumenproduktion beginnt im vierten Quartal 2004.
Zu ISSI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) ist ein fabless Halbleiterunternehmen, das leistungsfähige integrierte Schaltungen für die Schlüsselmärkte digitale Konsumelektronik, Netzwerke, mobile Kommunikation und Kfz-Elektronik entwickelt und vermarktet. Die Hauptprodukte des Unternehmens sind schnelle Low-Power-SRAMs sowie DRAMs mit mittlerer und hoher Speicherdichte. Zudem entwirft und vermarktet das Unternehmen EEPROMs sowie SmartCards und entwickelt ausgewählte Non-Memory-Produkte mit Schwerpunkt auf seinen Schlüsselmärkten. ISSI mit Sitz im Silicon Valley verfügt über Niederlassungen in China, Europa, Hongkong, Indien, Korea und Taiwan. Weitere Informationen über das Unternehmen gibt es unter www.issi.com
Die Bausteine eignen sich für hochleistungsfähige Netzwerkapplikationen und werden im IBM-Werk in Burlington, Vermont/USA, in 0,13-µm-Technologie gefertigt. Die neue Familie ist das erste Resultat einer Zusammenarbeit zwischen ISSI und IBM. Gemäß eines Abkommens der beiden Unternehmen wird die UDR-Familie im nächsten Jahr um 72-MBit-Produkte erweitert werden.
Der IS61QDB41M36 ist eine Burst-of-4-Variante, organisiert zu 1M x36 Bit, mit separaten Ein-/Ausgabe-Ports. Der Baustein IS61QDB21M36 hat die gleiche Organisation, jedoch mit Burst-of-2. Der IS61QDB42Mx18 und der IS61QDB22M18 sind 2Mx18-Bit-Versionen.
„Mit der neuen UDR-Familie erweitern wir unser umfangreiches Angebot an Speicherbausteinen um leistungsfähige synchrone SRAMs mit hoher Speicherdichte“, sagte Günter L. Anzer, Gründer und Geschäftsführer der VAREP3000 GmbH.
Die UDR-Familie verwendet eine 1,8-V-Spannung für den Core und eine VDDQ-Spannung von 1,5 V oder 1,8 V. Sie wird mit Taktraten von 175 MHz bis zu 400 MHz angeboten.
Gehäuse und Verfügbarkeit
Die UDR-Familie ist in einem 165-Ball-Fine-Grid-Array-Gehäuse mit Abmessungen von 15 mm x 17 mm und 1 mm Pitch untergebracht. Muster der Speicherbausteine sind ab sofort erhältlich, die Volumenproduktion beginnt im vierten Quartal 2004.
Zu ISSI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) ist ein fabless Halbleiterunternehmen, das leistungsfähige integrierte Schaltungen für die Schlüsselmärkte digitale Konsumelektronik, Netzwerke, mobile Kommunikation und Kfz-Elektronik entwickelt und vermarktet. Die Hauptprodukte des Unternehmens sind schnelle Low-Power-SRAMs sowie DRAMs mit mittlerer und hoher Speicherdichte. Zudem entwirft und vermarktet das Unternehmen EEPROMs sowie SmartCards und entwickelt ausgewählte Non-Memory-Produkte mit Schwerpunkt auf seinen Schlüsselmärkten. ISSI mit Sitz im Silicon Valley verfügt über Niederlassungen in China, Europa, Hongkong, Indien, Korea und Taiwan. Weitere Informationen über das Unternehmen gibt es unter www.issi.com
