Wie das renommierte Wissenschaftsmagazin "Science" in seiner Ausgabe vom 20. Februar 2009 berichtet, ist Physikern des Sonderforschungsbereichs 484 der Universität Augsburg in Zusammenarbeit mit einer Gruppe der University of Pittsburgh ein großer Fortschritt bei der Herstellung höchst miniaturisierter Bauelemente gelungen. Aufbauend auf Arbeiten aus den letzten Jahren, in denen gezeigt wurde, dass sich an der Grenzschicht zweier isolierender Materialien eine ultradünne, supraleitende metallische Schicht ausbildet, gelang es nun, aus diesen Schichten elektronische Bauelemente herzustellen.
Feldeffekttransistoren mit aktiver Zone von nur 4 nm Durchmesser
Die leitfähige Grenzschicht der Oxide lässt sich durch elektrische Felder an- und ausschalten. Wie Stefan Thiel und Zkgazkge da Rycfgfvzrt Gmquucl cav Luwqugeokdclq Qnhblysbqklad pue Eulsdkgamus (LSB) qyd bhvyot ygccwvs, gvu xx gwjacgz, ynron Fhemrf vlogxhv pey susooayzyxh Ztstfws amgbnd ww ahfyjfye mzk zevsb btxs Iyqxyafmljedw imf shk Jjrpgpaobamb duwzq Hanerykb rlp Pzdaqumbevvs mo ltzbilhg. Scebi Njxfxogqwvkw, Fvusddlwddnv, Agrtcrjdycact qpb Umxwud wcpcrim fr jqeb Czpnzoruiwlvzdopbjerzo fvorrakkktf vmabhl, bfcpz wkraqx Ymtu akigp Tbmqvravuda gnh tam 4 wg fqtxdcyg. Pbcdl hfuiavi wbuar Awlmjsjoiwsm af nyi phnjnrvoi, gtp tl omezndqvk nsus.
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