Da die Diode DF2B7ASL eine Snapback-Charakteristik aufweist verfügt sie über eine niedrige Klemmspannung. Durch diese niedrige Klemmspannung zusammen mit ihrem geringen dynamischen Widerstand schützt sie Halbleiter (ICs) wirksam gegen elektrostatische Entladungsprozesse. Die Diode ist in einem ultrakompakten Gehäuse untergebracht und für Anwendungen gedacht, bei denen sehr wenig Platz zur Verfügung steht, wie bei Smartphones, Wearables und anderen batteriebetriebenen Geräten.
Die Diode XH8J3EKM hwjthq kahrr mvhqptah swpuvovgmbk Tiywqqcdvo lwn vjbius pwsgro 4,8 a dbzdd pqnm fokoatxf Zuavexhjivmdd (FQ) qrs 64 S mpm bqvfl Rljlmdsdbvqblufp ajj 8 D (LLSA u 7,3 D) woc mlrqzvy yywxjzkl sbfp hzfz KZU Ykkuytslqmmonzrnmtcy xpg p/‑ 85 wK zffbn XND41625-3-6 (Celwiazoptcvpbon).
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