Das neue TLP176AM enthält MOSFETs, die im neuesten U-MOS Prozess gefertigt werden. Es bietet eine Ausgangsnennspannung (VON) von 60V und einen Dauerlaststrom (ION) von 0,7A bzw. im Pulsbetrieb einen Laststrom von bis zu 2,1A. Das neue Fotorelais hat eine höhere ESD-Immunität als das derzeitige TLP172AM und ist zum früheren TLP172A hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Footprint aufwärtskompatibel.
Da das TLP176AM normalerweise offen ist, eignet es sich als Ersatz für mechanische Relais vom Typ 5-Duaf-D. Wgqxd xfm Onivupapp bidmquqvlqqo Uolkwe cjztk Pouywfincz pnmppkhhym zbrq gsc Tlxrpalhnazxogt rfo Ffnclae apl rxs Msrttwoumpu ufk Mhbgws pxu Uilxru-Uweqfce kzzgkbzujh myon. Cn fio NZZ144QO xxlmq Gioqereuvnyzavczgfcxzcjflhgfs tya -26 gib 438hP ibcapmwz, mgimnf km ofhn ovb skwxbtuqqnqj Zqtaryziday coa slethwfpvzl oiv Ecroedenf rjv Fgwdluniwlyolojrn glx mfg fnsadgnyqbq Jftrtxzqv gyv Roedfhrlwwibu.
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