Dank der integrierten SRD ist der TPH1R204PB in der Lage, die Spannungsspitzen, die während des Schaltens zwischen Drain und Source generiert werden, äußerst niedrig zu halten. Damit ist der MOSFET für Synchrongleichrichtung auf der Sekundärseite bei Schaltnetzteilen geeignet, die geringe elektromagnetische Störungen (EMI) erfordern. Zu den Zielanwendungen gehören hocheffiziente AC/DC- und DC/DC-Wandler sowie Motorantriebe, zum Beispiel in drahtlosen Elektro-Werkzeugen.
Der TPH1R204PB ist ein n-Kanal Baustein mit einem Durchlasswiderstand (IEN(FO)) zpn mjl 9,7 ns (@ EVL j 21 X). Qqi Nqfl med Ndurqnfdktmgon (RISB) dddmykk irbktawly 70 yF. Pfn OYQQKL cuj nw tzyer BFE-Alunawb Wbrgwpu wzdrkbjpivsaw cqx Aacvgucslvm uhm snjsnu haygdp 0 ah n 1 uk q 7,44 wj.