Die SINGULUS TECHNOLOGIES AG (SINGULUS TECHNOLOGIES) liefert eine Vakuum-Beschichtungsanlage des Typs GENERIS PVD für die Produktion von Heterojunction-Solarzellen (HJT) an einen großen Hersteller von Solarzellen. Das Auftragsvolumen liegt im mittleren einstelligen Millionenbereich. SINGULUS TECHNOLOGIES ist damit in der Lage, neben der schon sehr erfolgreichen SILEX II Produktionsanlage für nasschemische Prozesse ein weiteres Produkt in dem wachsenden Markt für Heterojunction-Hochleistungszellen zu positionieren.
Dr.-Ing. Stefan Rinck, CEO der SINGULUS TECHNOLOGIES AG: "Mit der GENERIS PVD Vakuum Kathodenzerstäubungsanlage setzen wir neue Akzente in der Beschichtungstechnik, die eine Qualitätssteigerung der Solarzellen ermöglichen und gleichzeitig die Fertigungskosten senken. Die GENERIS PVD ergänzt damit unser bisheriges Angebot der SILEX II, die bei nasschemischen Prozessen bei der Herstellung von Heterojunction-Solarzellen sich zu einer Benchmark entwickelt hat."
GENERIS PVD Produktionsanlage mit hoher Reproduzierbarkeit und höchster Produktivität bei niedrigen Betriebskosten.
SINGULUS TECHNOLOGIES hat bereits zahlreiche Vakuum-Beschichtungsanlagen in der Solarindustrie im Einsatz und bietet mit dem GENERIS PVD-System ein Inline-Sputtersystem mit horizontalem Substrattransport, das für die speziellen Anforderungen in der Produktion hocheffizienter Solarzellen ausgelegt ist. Es erfüllt ideal die wichtigsten Anforderungen der Heterojunction-Zelltechnologie an anspruchsvolle, transparente, leitfähige Oxidschichten wie ITO und AZO. In der GENERIS PVD werden die Solarzellen nach dem Inline-Prinzip automatisch durch die Prozesskammern transportiert und von beiden Seiten beschichtet. Die Beschichtungsanlage garantiert eine hohe Schichtdickengleichmäßigkeit bei einer hohen Reproduzierbarkeit der Schicht mit höchster Produktivität bei gleichzeitig niedrigen Betriebskosten. Die Produktionsanlage GENERIS PVD von SINGULUS TECHNOLOGIES wurde speziell für sehr dünne Substrate wie Wafer für die Herstellung von HJT-Solarzellen entwickelt.
Hintergrund: Heterojunction
Die Heterojunction-Technologie verbindet die Vorteile von Silizium-Solarzellen mit den exzellenten Absorptions- und Passivierungseigenschaften von amorphem Silizium. Für die Herstellung der elektrischen Strukturen von Heterojunction-Zellen werden auf einen n-leitenden Siliziumwafer beidseitig dünne Schichten aus dotiertem und intrinsischem, amorphem Silizium sowie transparente, leitfähige Oxidschichten (TCO) zur Aufnahme des erzeugten Stroms aufgebracht. Darüber hinaus haben Heterojunction-Zellen einen deutlich niedrigeren Temperaturkoeffizienten als konventionelle Silizium-Solarzellen.
Aufgrund der hohen Lichtausbeute und der hervorragenden Passivierungseigenschaften des amorphen Siliziums ist es möglich, besonders hohe Wirkungsgrade zu erreichen.
Für den Markt von Heterojunction-Zellen werden zukünftig hohe Wachstumsraten vorhergesagt.
Dr.-Ing. Stefan Rinck, CEO der SINGULUS TECHNOLOGIES AG: "Mit der GENERIS PVD Vakuum Kathodenzerstäubungsanlage setzen wir neue Akzente in der Beschichtungstechnik, die eine Qualitätssteigerung der Solarzellen ermöglichen und gleichzeitig die Fertigungskosten senken. Die GENERIS PVD ergänzt damit unser bisheriges Angebot der SILEX II, die bei nasschemischen Prozessen bei der Herstellung von Heterojunction-Solarzellen sich zu einer Benchmark entwickelt hat."
GENERIS PVD Produktionsanlage mit hoher Reproduzierbarkeit und höchster Produktivität bei niedrigen Betriebskosten.
SINGULUS TECHNOLOGIES hat bereits zahlreiche Vakuum-Beschichtungsanlagen in der Solarindustrie im Einsatz und bietet mit dem GENERIS PVD-System ein Inline-Sputtersystem mit horizontalem Substrattransport, das für die speziellen Anforderungen in der Produktion hocheffizienter Solarzellen ausgelegt ist. Es erfüllt ideal die wichtigsten Anforderungen der Heterojunction-Zelltechnologie an anspruchsvolle, transparente, leitfähige Oxidschichten wie ITO und AZO. In der GENERIS PVD werden die Solarzellen nach dem Inline-Prinzip automatisch durch die Prozesskammern transportiert und von beiden Seiten beschichtet. Die Beschichtungsanlage garantiert eine hohe Schichtdickengleichmäßigkeit bei einer hohen Reproduzierbarkeit der Schicht mit höchster Produktivität bei gleichzeitig niedrigen Betriebskosten. Die Produktionsanlage GENERIS PVD von SINGULUS TECHNOLOGIES wurde speziell für sehr dünne Substrate wie Wafer für die Herstellung von HJT-Solarzellen entwickelt.
Hintergrund: Heterojunction
Die Heterojunction-Technologie verbindet die Vorteile von Silizium-Solarzellen mit den exzellenten Absorptions- und Passivierungseigenschaften von amorphem Silizium. Für die Herstellung der elektrischen Strukturen von Heterojunction-Zellen werden auf einen n-leitenden Siliziumwafer beidseitig dünne Schichten aus dotiertem und intrinsischem, amorphem Silizium sowie transparente, leitfähige Oxidschichten (TCO) zur Aufnahme des erzeugten Stroms aufgebracht. Darüber hinaus haben Heterojunction-Zellen einen deutlich niedrigeren Temperaturkoeffizienten als konventionelle Silizium-Solarzellen.
Aufgrund der hohen Lichtausbeute und der hervorragenden Passivierungseigenschaften des amorphen Siliziums ist es möglich, besonders hohe Wirkungsgrade zu erreichen.
Für den Markt von Heterojunction-Zellen werden zukünftig hohe Wachstumsraten vorhergesagt.
