CISSOID, der Marktführer für Hochtemperatur-Halbleiterlösungen stellt CHT-NEPTUNE, einen Hochspannungs-Leistungsschalter im TO-257 Gehäuse vor, der sich zum Einsatz in Leistungswandlern und Motortreibern mit garantiertem und zuverlässigem Betrieb bis zu +225°C eignet.
CHT-NEPTUNE ist ein Hochtemperatur-, Hochspanungs- MOSFET aus Siliziumkarbid, der speziell für Leistungswandler-Anwendungen unter widrigen Umgebungsbedingungen mit hohen Temperaturen hergestellt wird. Er ist in einem hermetisch dichten TO-257 Metallgehäuse verfügbar, wobei das Gehäuse von den Anschlussbeinen elektrisch isoliert ist - und bietet einen niedrigen Wärmewiderstand (Rthjc1,1°C/W). Das Produkt ist für einen zuverlässigen Betrieb über den Bereich von -55°C bis +225°C garantiert. Es hat eine Durchbruchsspannung von mehr als 1200V und kann Schaltströme bis zu 10A bei der Maximaltemperatur (Tj=225°C) bewältigen. Der MOSFET bietet eine Body-Diode, die als Freilaufdiode benutzt werden kann.
Der Schalter kann mit einer typischen Gate-Spannung von -2V / +20V kontrolliert werden. Der Durchgangswiderstand des Transistors unterschreitet 90mΩ bei 25°C und 150mΩ bei 225°C mit VGS=20V. Unterstützung und charakteristische Daten können auch für die Ansteuerung des Transistors mit niedrigeren VGS-Spannungen (z. B. 5V oder 10V) gegeben werden. Dieses neue Bauelement bietet eine niedrige und temperaturunabhängige Schaltenergie von weniger als 400µJ bei 600V/10A.
Jean-Christophe Doucet, VP Marketing bei CISSOID sagt: "CISSOIDs Halbleiterlösungen für hohe Temperaturen arbeiten zuverlässig ohne versteckte Besonderheiten. Ein 1200V Leistungsbauelement über den vollen Temperaturbereich bis zu 225°C mit unserer gewohnten Zuverlässigkeit zu garantieren, war eine schwierige Aufgabe, wir sind begeistert, dieses Produkt nun dem Markt zu präsentieren. Wir glauben, dass existierende Lösungen bisher nicht zufriedenstellend waren, da wir ein gewaltiges Interesse an CHT-NEPTUNE sehen."
CISSOID bietet bereits die erste Lösung eines isolierten Gate-Treibers für SiC mit 225°C Rating (HADES(TM) ); sodass das Unternehmen nun eine komplette Lösung aus Kombination von Gate-Treiber und den 2 Leistungsschaltern anbieten kann, was teure und langwierige Entwicklungsarbeit spart.
CHT-NEPTUNE kann sowohl zusammen mit CISSOIDs Gate-Treibern CHT-THEMIS & ATLAS, als auch mit dem vollisolierten Halbbrücken-Gate-Treiber EVK-HADES verwendet werden. Die Kombination HADES+NEPTUNE erspart den Systemdesignern bei der Entwicklung eines Motortreiber oder Leistungswandlers Monate in R&D.
CHT-NEPTUNE kann als Muster und zur Erprobung unter der Bezeichnung CHT-PLA8543-TO257-T bestellt werden.
CHT-NEPTUNE ist ein Hochtemperatur-, Hochspanungs- MOSFET aus Siliziumkarbid, der speziell für Leistungswandler-Anwendungen unter widrigen Umgebungsbedingungen mit hohen Temperaturen hergestellt wird. Er ist in einem hermetisch dichten TO-257 Metallgehäuse verfügbar, wobei das Gehäuse von den Anschlussbeinen elektrisch isoliert ist - und bietet einen niedrigen Wärmewiderstand (Rthjc1,1°C/W). Das Produkt ist für einen zuverlässigen Betrieb über den Bereich von -55°C bis +225°C garantiert. Es hat eine Durchbruchsspannung von mehr als 1200V und kann Schaltströme bis zu 10A bei der Maximaltemperatur (Tj=225°C) bewältigen. Der MOSFET bietet eine Body-Diode, die als Freilaufdiode benutzt werden kann.
Der Schalter kann mit einer typischen Gate-Spannung von -2V / +20V kontrolliert werden. Der Durchgangswiderstand des Transistors unterschreitet 90mΩ bei 25°C und 150mΩ bei 225°C mit VGS=20V. Unterstützung und charakteristische Daten können auch für die Ansteuerung des Transistors mit niedrigeren VGS-Spannungen (z. B. 5V oder 10V) gegeben werden. Dieses neue Bauelement bietet eine niedrige und temperaturunabhängige Schaltenergie von weniger als 400µJ bei 600V/10A.
Jean-Christophe Doucet, VP Marketing bei CISSOID sagt: "CISSOIDs Halbleiterlösungen für hohe Temperaturen arbeiten zuverlässig ohne versteckte Besonderheiten. Ein 1200V Leistungsbauelement über den vollen Temperaturbereich bis zu 225°C mit unserer gewohnten Zuverlässigkeit zu garantieren, war eine schwierige Aufgabe, wir sind begeistert, dieses Produkt nun dem Markt zu präsentieren. Wir glauben, dass existierende Lösungen bisher nicht zufriedenstellend waren, da wir ein gewaltiges Interesse an CHT-NEPTUNE sehen."
CISSOID bietet bereits die erste Lösung eines isolierten Gate-Treibers für SiC mit 225°C Rating (HADES(TM) ); sodass das Unternehmen nun eine komplette Lösung aus Kombination von Gate-Treiber und den 2 Leistungsschaltern anbieten kann, was teure und langwierige Entwicklungsarbeit spart.
CHT-NEPTUNE kann sowohl zusammen mit CISSOIDs Gate-Treibern CHT-THEMIS & ATLAS, als auch mit dem vollisolierten Halbbrücken-Gate-Treiber EVK-HADES verwendet werden. Die Kombination HADES+NEPTUNE erspart den Systemdesignern bei der Entwicklung eines Motortreiber oder Leistungswandlers Monate in R&D.
CHT-NEPTUNE kann als Muster und zur Erprobung unter der Bezeichnung CHT-PLA8543-TO257-T bestellt werden.
