AOS, der Spezialist für Leistungshalbleiter und -ICs, kündigt sieben neue Produkte in seiner 600 V AlphaIGBTTM-Produktfamilie hocheffizienter Insulated Gate Bipolartransistoren (IGBT) mit Strömen zwischen 20 A und 60 A an. Die neuen Komponenten eignen sich hervorragend für eine Vielzahl von Anwendungen wie z. B. Weiße Ware (Klimaanlagen, Kühlschränke und Waschmaschinen), kommerzielle HVAC-Systeme, Photovoltaik-Inverter sowie industrielles Equipment (Schweißmaschinen, Nähmaschinen und unterbrechungsfreie Energieversorgungen).
Basierend auf der patentrechtlich geschützten AlphaIGBT-Technologie bieten die IGBTs eine hervorragende Kombination aus niedriger VCE(SAT) und EOFF und liefern damit eine hohe Effizienz sowohl während des On-State- als auch Turn-Off-Zustandes. Zusätzlich weisen die Komponenten eine doppelt so hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT) auf als führende Wettbewerber bei vergleichbarer VCE(SAT). Dies führt zu einem besseren Schaltungsschutz während möglicher Fehlerzustände wie z. B. einem blockierten Drehsystem oder Inverterkurzschluss. AlphaIGBT-Lösungen bieten ein äußerst niedriges Qgc/Qge-Verhältnis, wodurch Spitzen der induzierten Gatespannung als Antwort auf dV/dt-Transienten minimiert werden. Im Fall einer Parallelschaltung wird der Strom, bedingt durch den positiven Temperaturkoeffizient der VCE(SAT), während des Betriebes bei hohen Temperaturen gleichmäßig aufgeteilt. Darüber hinaus liefern die zusätzlichen antiparallelen Dioden in jedem der Bauelemente eine gleichmäßige weiche Sperrverzögerungscharakteristik.
"Diskrete IGBTs werden zunehmend in einer Vielzahl von Anwendungen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Motortreibern, Schweißmaschinen, UPS-Systemen und Solarwechselrichtern verwendet", sagt Stephen Chang, Director of Product Marketing bei AOS. "Unsere neuesten AlphaIGBTs liefern einen optimalen Kompromiss zwischen der Leitungs- und Schaltperformance für eine Minimierung der Leistungsverluste ohne die Kurzschlussperformance zu beeinträchtigen."
Die in einem TO247-Gehäuse erhältlichen Komponenten sind RoHS-konform und zu 100 % Rg-getestet.
Basierend auf der patentrechtlich geschützten AlphaIGBT-Technologie bieten die IGBTs eine hervorragende Kombination aus niedriger VCE(SAT) und EOFF und liefern damit eine hohe Effizienz sowohl während des On-State- als auch Turn-Off-Zustandes. Zusätzlich weisen die Komponenten eine doppelt so hohe Kurzschlussfestigkeitszeit (SCWT) auf als führende Wettbewerber bei vergleichbarer VCE(SAT). Dies führt zu einem besseren Schaltungsschutz während möglicher Fehlerzustände wie z. B. einem blockierten Drehsystem oder Inverterkurzschluss. AlphaIGBT-Lösungen bieten ein äußerst niedriges Qgc/Qge-Verhältnis, wodurch Spitzen der induzierten Gatespannung als Antwort auf dV/dt-Transienten minimiert werden. Im Fall einer Parallelschaltung wird der Strom, bedingt durch den positiven Temperaturkoeffizient der VCE(SAT), während des Betriebes bei hohen Temperaturen gleichmäßig aufgeteilt. Darüber hinaus liefern die zusätzlichen antiparallelen Dioden in jedem der Bauelemente eine gleichmäßige weiche Sperrverzögerungscharakteristik.
"Diskrete IGBTs werden zunehmend in einer Vielzahl von Anwendungen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Motortreibern, Schweißmaschinen, UPS-Systemen und Solarwechselrichtern verwendet", sagt Stephen Chang, Director of Product Marketing bei AOS. "Unsere neuesten AlphaIGBTs liefern einen optimalen Kompromiss zwischen der Leitungs- und Schaltperformance für eine Minimierung der Leistungsverluste ohne die Kurzschlussperformance zu beeinträchtigen."
Die in einem TO247-Gehäuse erhältlichen Komponenten sind RoHS-konform und zu 100 % Rg-getestet.
