AOS, der Spezialist für Leistungshalbleiter und -ICs, stellt eine neue duale MOSFET-Familie in der Common-Drain-Konfiguration vor, welche sowohl im 5x6 DFN-Gehäuse als auch im kleinen 3,2x2 Micro-DFN-Gehäuse erhältlich ist. Die neuen Komponenten eignen sich hervorragend für Akkupack-Anwendungen bei welchen zwei N-Kanal MOSFETs zum sicheren Laden und Entladen sowie als Spannungsschutz in einer Back-to-Back-Verschaltung verbunden sind. Zu den Vorteilen der neuen MOSFETS gehört ein äußerst niedriger Source-to-Source Widerstand RSS von weniger als 10 mΩ bei einer Gateansteuerung mit 10 V. AON6810, AON6812 und AOC4810 stellen ideale Lösungen zur Steigerung der Performance von Akkupacks in der neuesten Generation von Ultrabooks und Tablets dar, da hier möglichst niedrige Leitungsverluste zur Optimierung der Akkulebensdauer benötigt werden.
Die neuen Bauelemente basieren auf der neuesten AlphaMOSTM-Technologie und bieten damit einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand RDS(ON) in Verbindung mit einem 4 kV ESD-Schutz zur Steigerung der Akkupack-Sicherheit. Beim AON6810 und AON6812 wird ein 5x6 DFN-Gehäuse mit Metallfäche an der Unterseite zur Steigerung der thermischen Belastbarkeit verwendet. Der AON6812 weist einen niedrigen maximalen Source-to-Source Widerstand RSS von 8 mΩ bei einer Ansteuerung mit 10 V auf. Mit seiner Durchschlagspannung von 30 V ist er in der Lage, den Lade- und Entladevorgang eines Laptop-Akkus mit kleinstmöglichen Leistungsverlusten und einer niedrigen Wärmeabgabe durchzuführen. Der AON6810 bietet darüber hinaus zusätzlichen Überhitzungsschutz, indem eine interne Temperaturfühldiode thermische Informationen aus erster Hand an das Batteriekontroll-IC leitet. Durch die Verwendung der Temperaturfühlerpins des AON6810 kann der thermische Zustand des MOSFETs auf Echtzeit-Basis sorgfältig überwacht werden um eine ungewollte Überhitzung zu vermeiden.
Um die Anforderungen ultradünner Akkupacks zu erfüllen, bietet der AOC4810 den Vorteil der innovativen Micro-DFN Gehäusetechnologie von AOS, welche eine äußerst niedrige Bauhöhe von nur 0,4 mm bietet. Im Gegensatz zum konventionellen CSP (Chip Scale Package) schließt das Micro-DFN Gehäuse durch die Verkapselung des Siliziums das Risiko des Zersplitterns aus und bietet damit vollständigen Schutz sowie eine hervorragende Isolation gegen Feuchtigkeit. Wenn die benötigte Platinenfläche eine Schlüsselanforderung darstellt, bietet der AOC4810 eine gute Möglichkeit zur Erhöhung der Leistungsdichte. Mit seinen Abmessungen von nur 3,2 mm x 2 mm bietet der AOC4810 einen maximalen RSS-Wert von 8,8 mΩ zur Verringerung von Leitungsverlusten und der Wärmeabgabe.
"Die neuen Common-Drain MOSFETs von AOS vereinfachen die Verschaltung von Akkupacks und sparen Platz in aktuellen kompakten Akkupack-Designs. In Verbindung mit ihrem hohen ESD-Schutzlevel und dem äußerst niedrigen Durchgangswiderstand ermöglicht diese neue Komponentenfamilie eine neue Stufe bei Bauform und Sicherheit für eine gesteigerte Akkuleistung", sagt George Feng, Senior Manager of Product Marketing bei AOS.
Die neuen Bauelemente sind durchgehend RoHS-konform und halogenfrei.
Die neuen Bauelemente basieren auf der neuesten AlphaMOSTM-Technologie und bieten damit einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand RDS(ON) in Verbindung mit einem 4 kV ESD-Schutz zur Steigerung der Akkupack-Sicherheit. Beim AON6810 und AON6812 wird ein 5x6 DFN-Gehäuse mit Metallfäche an der Unterseite zur Steigerung der thermischen Belastbarkeit verwendet. Der AON6812 weist einen niedrigen maximalen Source-to-Source Widerstand RSS von 8 mΩ bei einer Ansteuerung mit 10 V auf. Mit seiner Durchschlagspannung von 30 V ist er in der Lage, den Lade- und Entladevorgang eines Laptop-Akkus mit kleinstmöglichen Leistungsverlusten und einer niedrigen Wärmeabgabe durchzuführen. Der AON6810 bietet darüber hinaus zusätzlichen Überhitzungsschutz, indem eine interne Temperaturfühldiode thermische Informationen aus erster Hand an das Batteriekontroll-IC leitet. Durch die Verwendung der Temperaturfühlerpins des AON6810 kann der thermische Zustand des MOSFETs auf Echtzeit-Basis sorgfältig überwacht werden um eine ungewollte Überhitzung zu vermeiden.
Um die Anforderungen ultradünner Akkupacks zu erfüllen, bietet der AOC4810 den Vorteil der innovativen Micro-DFN Gehäusetechnologie von AOS, welche eine äußerst niedrige Bauhöhe von nur 0,4 mm bietet. Im Gegensatz zum konventionellen CSP (Chip Scale Package) schließt das Micro-DFN Gehäuse durch die Verkapselung des Siliziums das Risiko des Zersplitterns aus und bietet damit vollständigen Schutz sowie eine hervorragende Isolation gegen Feuchtigkeit. Wenn die benötigte Platinenfläche eine Schlüsselanforderung darstellt, bietet der AOC4810 eine gute Möglichkeit zur Erhöhung der Leistungsdichte. Mit seinen Abmessungen von nur 3,2 mm x 2 mm bietet der AOC4810 einen maximalen RSS-Wert von 8,8 mΩ zur Verringerung von Leitungsverlusten und der Wärmeabgabe.
"Die neuen Common-Drain MOSFETs von AOS vereinfachen die Verschaltung von Akkupacks und sparen Platz in aktuellen kompakten Akkupack-Designs. In Verbindung mit ihrem hohen ESD-Schutzlevel und dem äußerst niedrigen Durchgangswiderstand ermöglicht diese neue Komponentenfamilie eine neue Stufe bei Bauform und Sicherheit für eine gesteigerte Akkuleistung", sagt George Feng, Senior Manager of Product Marketing bei AOS.
Die neuen Bauelemente sind durchgehend RoHS-konform und halogenfrei.
