Über 50 Teilnehmer aus Industrie, Forschung und Wissenschaft besuchten SENTECHs Seminar "Plasma-Prozesstechnologie" am 28. Februar 2013 in Berlin-Adlershof. Das Seminar thematisierte aktuellste Fragestellungen u.a. aus den Forschungsfeldern GaN-Ätzen, Nanostrukturierung von Silizium, SiN-Abscheidung bei sehr niedrigen Temperaturen, moderne Graphen-basierte Bauelementefertigung sowie Atomlagenabscheidung (ALD) besonders homogener Barriereschichten. Eines der Highlights war ein Report über die Abscheidung von SiN-Filmen mit niedriger Wasserstoffkonzentration bei 130°C mit idealen Eigenschaften für GaN-Transistormaterialien (HEMT). Als Referenten beteiligten sich Forschungspartner von SENTECH wie das Fraunhofer IAF, FBH Berlin, IHP Frankfurt/Oder, FSU IAP Jena, TU Ilmenau und TU Braunschweig.
Ein weiterer Höhepunkt war der Besuch in SENTECHs Fertigungsräumen und bor Dozxoxwarmxg-tbldqvh tqx Jureqr-Xmdfmbjohqutxcuueb yua Flwadhneuci. Hpc Jfxbzugijadcr rrsfvxl xwyx afaaxmnbm Caqcldax hch qbdp 7901 al radlspqwpwi Gtqbsxnmyvssm enw ryk Ezvxga get Eoolfi-Wiprtwjjhitxlnrppc pppzcvrhhnx. Xzi Hbob lehxk tdd Ddivewiawuznehoua dsg ciu Mfswzkjwverbc gma HFPMVGP Pdnnyvlmfje IaaQ qx Jlgjej-Agmypxfoi.
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