Die SanDisk Corporation (NASDAQ: SNDK) gab heute die Einführung eines Multi-Level (MLC) NAND Flashspeichers mit 43 Nanometer (nm) Verarbeitungstechnologie bekannt, der gemeinsam mit der Toshiba Corporation in Japan entwickelt wurde. Diese 43 nm Technologie stellt einen großen Fortschritt dar, denn sie weist im Vergleich zur 56 nm 16 Gigabit (Gb) Verarbeitungstechnologie die doppelte Dichte pro Chip auf. So werden ohne Einbußen bei Leistung und Zuverlässigkeit die Herstellungskosten gesenkt. SanDisk plant den Beginn der Auslieferung ab dem zweiten Quartal 2008. Zunächst werden die Produkte mit 16 Gigabit, ab dem zweiten Halbjahr 2008 dann mit 32 Gigabit erhältlich sein.
"Wir freuen uns über den Beginn der Produktion der 43 nm Generation von MLC NAND Flashspeichern, besonders im Hinblick auf die signifikant geringeren Kosten", so Dr. Randhir Thakur, Executive Vice President of Technology and Worldwide Operations bei SanDisk. "Zu den technologischen Features gehören SanDisks patentierte All Bit Line (ABL) Architektur mit effizienten Programmier-Algorithmen und 8 Kilobyte (KB) Seitengröße und der damit verbundenen höheren Leistungsfähigkeit. Die hochmoderne Lithographie, weitere innovative Verarbeitungstechnologien und branchenführende 64 NAND Reihenstruktur ermöglichen geringere Kosten pro Megabyte und eine exzellente Leistung. Die 43 nm Technologiegeneration wird im Jahr 2008 unser Hauptschwerpunkt sein, während wir unseren Kunden weiterhin spitzenmäßige Technologie und Kostenvorteile bieten."
Auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) 2008 stellten SanDisk und Toshiba heute ein gemeinsames Paper zum 43 nm 16 Gb NAND Flashspeicher vor und hoben dabei die technischen Fortschritte hervor.
SanDisk hat im Toshiba-Werk in Yokkaichi nahe Nagoya, Japan, mit dem Übergang zur 43 nm Fertigung begonnen und baut somit seine Führungsposition bei der Entwicklung und Herstellung fortschrittlicher NAND Flashtechnologien weiter aus. SanDisk und Toshiba teilen den Ertrag des Yokkaichi-Werks und haben zahlreiche Designs und Technologien des MLC NAND Flash gemeinsam entwickelt. Der neue 43 nm Flash wird zunächst in Fab 4 produziert, einer neuen 300 mm Waferanlage, die kürzlich von SanDisk und Toshiba eröffnet wurde. In der zweiten Jahreshälfte 2008 soll Fab 3 ebenfalls auf 43 nm umsteigen.
Es wird erwartet, dass die 43 nm Generation von NAND Flashspeichern in Kombination mit den innovativen und urheberrechtlich geschützten Systemsteuerungen von SanDisk sich auf andere Wachstumsmärkte, wie beispielsweise Solid State Drives (SSDs) auswirken wird. Im Bereich des Managed NAND, wie etwa iNAND, soll die neue Technologie die Flashspeicherleistungen des rasch wachsenden Mobiltelefonmarktes erweitern und die Führungsposition von SanDisk bei differenzierten High Performance-Produktserien ausbauen.
SanDisk, das SanDisk Logo und SanDisk Ultra sind in den USA und anderen Ländern eingetragene Markenzeichen der SanDisk Corporation. Andere in diesem Text genannte Markennamen dienen der Identifizierung und sind Markenzeichen ihrer jeweiligen Inhaber.
Diese Pressemitteilungen beinhalten Prognosen, auch in Bezug auf die Einführung neuer Produkte, Anwendungen, Märkte und Kunden, die auf aktuellen Erwartungen basieren und einigen Risiken und Ungenauigkeiten unterliegen können. Aufgrund dessen besteht die Möglichkeit, dass der Inhalt der Prognosen ungenau sein könnte. Mögliche Risiken, die zu Ungenauigkeiten dieser Prognosen führen können, sind unter anderem: Unerwartete yield Variationen oder Produktionsverzögerungen bei den 43 nm NAND Flashprodukten in der Fab 3 oder Fab 4, unsere Produkte können nicht die erwarteten höheren Leistungen erbringen oder könnten teurer als erwartet sein. Außerdem gibt es andere Risiken, die regelmäßig in unseren Securities and Exchange Commission-Berichten, einschließlich, jedoch nicht beschränkt auf Formular 10-K und unseren Quartalsberichten in Formular 10-Q detailliert erörtert werden. Eine Aktualisierung der in dieser Pressemitteilung enthaltenen Informationen ist nicht beabsichtigt.
"Wir freuen uns über den Beginn der Produktion der 43 nm Generation von MLC NAND Flashspeichern, besonders im Hinblick auf die signifikant geringeren Kosten", so Dr. Randhir Thakur, Executive Vice President of Technology and Worldwide Operations bei SanDisk. "Zu den technologischen Features gehören SanDisks patentierte All Bit Line (ABL) Architektur mit effizienten Programmier-Algorithmen und 8 Kilobyte (KB) Seitengröße und der damit verbundenen höheren Leistungsfähigkeit. Die hochmoderne Lithographie, weitere innovative Verarbeitungstechnologien und branchenführende 64 NAND Reihenstruktur ermöglichen geringere Kosten pro Megabyte und eine exzellente Leistung. Die 43 nm Technologiegeneration wird im Jahr 2008 unser Hauptschwerpunkt sein, während wir unseren Kunden weiterhin spitzenmäßige Technologie und Kostenvorteile bieten."
Auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) 2008 stellten SanDisk und Toshiba heute ein gemeinsames Paper zum 43 nm 16 Gb NAND Flashspeicher vor und hoben dabei die technischen Fortschritte hervor.
SanDisk hat im Toshiba-Werk in Yokkaichi nahe Nagoya, Japan, mit dem Übergang zur 43 nm Fertigung begonnen und baut somit seine Führungsposition bei der Entwicklung und Herstellung fortschrittlicher NAND Flashtechnologien weiter aus. SanDisk und Toshiba teilen den Ertrag des Yokkaichi-Werks und haben zahlreiche Designs und Technologien des MLC NAND Flash gemeinsam entwickelt. Der neue 43 nm Flash wird zunächst in Fab 4 produziert, einer neuen 300 mm Waferanlage, die kürzlich von SanDisk und Toshiba eröffnet wurde. In der zweiten Jahreshälfte 2008 soll Fab 3 ebenfalls auf 43 nm umsteigen.
Es wird erwartet, dass die 43 nm Generation von NAND Flashspeichern in Kombination mit den innovativen und urheberrechtlich geschützten Systemsteuerungen von SanDisk sich auf andere Wachstumsmärkte, wie beispielsweise Solid State Drives (SSDs) auswirken wird. Im Bereich des Managed NAND, wie etwa iNAND, soll die neue Technologie die Flashspeicherleistungen des rasch wachsenden Mobiltelefonmarktes erweitern und die Führungsposition von SanDisk bei differenzierten High Performance-Produktserien ausbauen.
SanDisk, das SanDisk Logo und SanDisk Ultra sind in den USA und anderen Ländern eingetragene Markenzeichen der SanDisk Corporation. Andere in diesem Text genannte Markennamen dienen der Identifizierung und sind Markenzeichen ihrer jeweiligen Inhaber.
Diese Pressemitteilungen beinhalten Prognosen, auch in Bezug auf die Einführung neuer Produkte, Anwendungen, Märkte und Kunden, die auf aktuellen Erwartungen basieren und einigen Risiken und Ungenauigkeiten unterliegen können. Aufgrund dessen besteht die Möglichkeit, dass der Inhalt der Prognosen ungenau sein könnte. Mögliche Risiken, die zu Ungenauigkeiten dieser Prognosen führen können, sind unter anderem: Unerwartete yield Variationen oder Produktionsverzögerungen bei den 43 nm NAND Flashprodukten in der Fab 3 oder Fab 4, unsere Produkte können nicht die erwarteten höheren Leistungen erbringen oder könnten teurer als erwartet sein. Außerdem gibt es andere Risiken, die regelmäßig in unseren Securities and Exchange Commission-Berichten, einschließlich, jedoch nicht beschränkt auf Formular 10-K und unseren Quartalsberichten in Formular 10-Q detailliert erörtert werden. Eine Aktualisierung der in dieser Pressemitteilung enthaltenen Informationen ist nicht beabsichtigt.
