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Renesas Electronics, ein führender Hersteller modernster Halbleiterlösungen, stellt heute seine Familie von 576-Megabit (Mb) DRAM-Produkten (µPD48576109, PD48576118, µPD48576209, PD48576218 und µPD48576236) mit niedriger Latenzzeit (Low-Latency) für Netzwerktechnik-Geräte vor. Gegenüber den bestehenden 288 Mb Low-Latency DRAM-Produkten des Unternehmens bieten die neuen 576-Megabit DRAM-Bausteine doppelt so viel Speicherkapazität, 25 Prozent mehr Random-Cycle-Leistung für Hochgeschwindigkeits-Lese- und -Schreibzugriffe, eine um 33 Prozent höhere Taktfrequenz und 10 Prozent weniger Stromverbrauch.
Im Vergleich zu früheren Produkten weisen die 576 Mb Low-Latency DRAM-Bausteine einen erheblich geringeren Stromverbrauch pro Speichereinheit auf. Dies ermöglicht eine insgesamt bessere Energieeffizienz und hilft in der Entwicklung von Netzwerktechnik-Geräten, Problemen bei der Wärmeableitung zu begegnen.
Angesichts der zunehmenden Verbreitung von Breitband-Netzwerken und der Beliebtheit von Cloud-Computing ist die Übertragung von großen Datenmengen über Netzwerke zur Routine geworden. Dies führte zu einem schnellen Anwachsen des Datenverkehrs in diesen Netzwerken und bewirkte eine verstärkte Nachfrage nach größerer Kapazität, höherer Geschwindigkeit und geringerem Stromverbrauch bei Netzwerktechnik-Datenspeichern, wie sie in Switches und Routern eingesetzt werden. Ziel ist dabei, die reibungslose Verarbeitung des wachsenden Datenverkehrs zu gewährleisten und der gestiegenen Bedeutung der Energieeffizienz Rechnung zu tragen. Die neuen Low-Latency DRAM-Produkte entsprechen genau diesen Anforderungen.
Die wichtigsten Merkmale der 576 Mb Low-Latency DRAM-Produkte:
1) Große Kapazität und hohe Geschwindigkeit, kombiniert mit niedrigem Stromverbrauch
Die 576 Mb Low-Latency DRAM-Produkte erreichen höhere Geschwindigkeiten bei Schreib- und Lesezugriffen und verbrauchen erheblich weniger Strom als bestehende Low-Latency DRAMs. Entscheidend dafür ist die High-Speed Sense Amplifier Technologie sowie eine stromsparende Speichertechnologie, die das Unternehmen im Laufe der Entwicklung seiner Hochgeschwindigkeits-Speicherprodukte erworben hat, sowie die Nutzung eines Speicher-Steuersystems, das die im Betrieb aktivierte Fläche des Speicher-Arrays minimiert. Dies führte zu der Verdoppelung der Speicherkapazität von 288 Mb auf 576 Mb sowie zu einer 25-prozentigen Erhöhung der Random-Cycle-Leistung bei schnellen Lese- und Schreibzugriffen von 20 ns auf 15 ns (gegenüber den 288 Mb Low-Latency DRAM-Produkten von Renesas Electronics). Zusätzlich stieg die maximale Taktfrequenz von 400 MHz auf 533 MHz, und der Stromverbrauch sank um mehr als 10 Prozent.
2) Unveränderte Gehäuseform wie bei bestehenden 288 Mb Low-Latency DRAM-Produkten ermöglicht kürzere Entwicklungszyklen
Trotz einer Verdoppelung der Speicherkapazität nutzen die 576 Mb Produkte das gleiche, 11 x 18,5 mm große Gehäuse wie die bestehenden 288 Mb Low-Latency DRAM-Produkte von Renesas Electronics. Dank der Nutzung dieser weit verbreiteten und als hoch zuverlässig bekannten Gehäuseform können Kunden die Leistung ihrer Systeme in Bezug auf Speicherkapazität und Geschwindigkeit verbessern, ohne größere Änderungen am Design der eingesetzten Leiterplatten vornehmen zu müssen. Zudem können sie damit ihre Risiken in Bezug auf Zuverlässigkeit und elektrische Kenndaten minimieren.
Renesas Electronics liefert als einziger Netzwerktechnik-Speicherhersteller QDR/DDR SRAM, Low-Latency DRAM sowie Ternary Content-Addressable Memory (TCAM). Aktuell bietet das Unternehmen eine Palette von QDR(TM) SRAM (18 Mb bis 72 Mb), TCAM und Low-Latency DRAM (288 Mb, 1,1 Gb). Die zusätzlichen 576 Mb Low-Latency-DRAM Produkte erweitern damit das Produktangebot. Renesas Electronics erwartet, dass Speicherprodukte eine entscheidende Rolle bei der Leistungsverbesserung und der Senkung des Stromverbrauchs von Netzwerktechnik-Geräten spielen werden, bei denen die Nachfrage nach mehr Leistung auch weiterhin zunimmt. Das Unternehmen arbeitet daher engagiert an einer kontinuierlichen Weiterentwicklung moderner Speicherlösungen für den Netzwerktechnik-Markt.
Die wichtigsten Spezifikationen der neuen DRAM-Produkte sind online auf einem separaten Datenblatt abrufbar.
Im Vergleich zu früheren Produkten weisen die 576 Mb Low-Latency DRAM-Bausteine einen erheblich geringeren Stromverbrauch pro Speichereinheit auf. Dies ermöglicht eine insgesamt bessere Energieeffizienz und hilft in der Entwicklung von Netzwerktechnik-Geräten, Problemen bei der Wärmeableitung zu begegnen.
Angesichts der zunehmenden Verbreitung von Breitband-Netzwerken und der Beliebtheit von Cloud-Computing ist die Übertragung von großen Datenmengen über Netzwerke zur Routine geworden. Dies führte zu einem schnellen Anwachsen des Datenverkehrs in diesen Netzwerken und bewirkte eine verstärkte Nachfrage nach größerer Kapazität, höherer Geschwindigkeit und geringerem Stromverbrauch bei Netzwerktechnik-Datenspeichern, wie sie in Switches und Routern eingesetzt werden. Ziel ist dabei, die reibungslose Verarbeitung des wachsenden Datenverkehrs zu gewährleisten und der gestiegenen Bedeutung der Energieeffizienz Rechnung zu tragen. Die neuen Low-Latency DRAM-Produkte entsprechen genau diesen Anforderungen.
Die wichtigsten Merkmale der 576 Mb Low-Latency DRAM-Produkte:
1) Große Kapazität und hohe Geschwindigkeit, kombiniert mit niedrigem Stromverbrauch
Die 576 Mb Low-Latency DRAM-Produkte erreichen höhere Geschwindigkeiten bei Schreib- und Lesezugriffen und verbrauchen erheblich weniger Strom als bestehende Low-Latency DRAMs. Entscheidend dafür ist die High-Speed Sense Amplifier Technologie sowie eine stromsparende Speichertechnologie, die das Unternehmen im Laufe der Entwicklung seiner Hochgeschwindigkeits-Speicherprodukte erworben hat, sowie die Nutzung eines Speicher-Steuersystems, das die im Betrieb aktivierte Fläche des Speicher-Arrays minimiert. Dies führte zu der Verdoppelung der Speicherkapazität von 288 Mb auf 576 Mb sowie zu einer 25-prozentigen Erhöhung der Random-Cycle-Leistung bei schnellen Lese- und Schreibzugriffen von 20 ns auf 15 ns (gegenüber den 288 Mb Low-Latency DRAM-Produkten von Renesas Electronics). Zusätzlich stieg die maximale Taktfrequenz von 400 MHz auf 533 MHz, und der Stromverbrauch sank um mehr als 10 Prozent.
2) Unveränderte Gehäuseform wie bei bestehenden 288 Mb Low-Latency DRAM-Produkten ermöglicht kürzere Entwicklungszyklen
Trotz einer Verdoppelung der Speicherkapazität nutzen die 576 Mb Produkte das gleiche, 11 x 18,5 mm große Gehäuse wie die bestehenden 288 Mb Low-Latency DRAM-Produkte von Renesas Electronics. Dank der Nutzung dieser weit verbreiteten und als hoch zuverlässig bekannten Gehäuseform können Kunden die Leistung ihrer Systeme in Bezug auf Speicherkapazität und Geschwindigkeit verbessern, ohne größere Änderungen am Design der eingesetzten Leiterplatten vornehmen zu müssen. Zudem können sie damit ihre Risiken in Bezug auf Zuverlässigkeit und elektrische Kenndaten minimieren.
Renesas Electronics liefert als einziger Netzwerktechnik-Speicherhersteller QDR/DDR SRAM, Low-Latency DRAM sowie Ternary Content-Addressable Memory (TCAM). Aktuell bietet das Unternehmen eine Palette von QDR(TM) SRAM (18 Mb bis 72 Mb), TCAM und Low-Latency DRAM (288 Mb, 1,1 Gb). Die zusätzlichen 576 Mb Low-Latency-DRAM Produkte erweitern damit das Produktangebot. Renesas Electronics erwartet, dass Speicherprodukte eine entscheidende Rolle bei der Leistungsverbesserung und der Senkung des Stromverbrauchs von Netzwerktechnik-Geräten spielen werden, bei denen die Nachfrage nach mehr Leistung auch weiterhin zunimmt. Das Unternehmen arbeitet daher engagiert an einer kontinuierlichen Weiterentwicklung moderner Speicherlösungen für den Netzwerktechnik-Markt.
Die wichtigsten Spezifikationen der neuen DRAM-Produkte sind online auf einem separaten Datenblatt abrufbar.
