Alliance Memory gab heute bekannt, dass es für die 2Gb- und 4Gb-Bauteile im 96-Ball-FBGA-Paket eine neue Die-Revision (B-Chip) gab, um den Mangel an High-Speed-CMOS-DDR3- und Niederspannungs-DDR3L-SDRAMs zu bedienen.
Aufgrund ihrer gesteigerten Funktionalität und Geschwindigkeit ist die Marktnachfrage nach DDR3- und DDR3L-SDRAMs extrem hoch, aber ihre Verfügbarkeit wird immer mehr begrenzt, da die Nachfrage das Angebot übersteigt und die Lieferanten die Kapazität auf Flash und andere Produkte verschieben. Alliance hat jetzt zwei Quellen für 2Gb und 4Gb Teile Silizium, mit der Einführung einer neuen B-Version. Das bedeutet, dass wir trotz Engpässen und Preiserhöhungen im Speichermarkt unsere Kunden beliefern können.
Alliance Memory DDR-Architektur von 2Gb und 4Gb DDR3 und DDR3L SDRAMs ermöglicht es ihnen, extrem schnelle Übertragungsraten von 1600Mbps und Taktraten von 800MHz zu erreichen. Mit minimalem shrinks bieten die Bauteile zuverlässige drop-in-, Pin-for-Pin-kompatibler Ersatz für eine Reihe ähnlicher Lösungen, die in neuartigen Mikroprozessoren für Netzwerk-, Industrie-, Medizin-, Telekommunikations- und Verbraucheranwendungen eingesetzt werden -Beseitigung kostspieliger redisgn und requalifizierung von neuen Bauteilen.
Die 2Gb AS4C128M16D3B-12BCN und 4Gb AS4C256M16D3B-12BCN DDR3 SDRAMs arbeiten von einer einzigen + 1.5V (± 0.075V) Stromversorgung, während die 4 Gb AS4C256M16D3LB-12BCN DDR3L SDRAM arbeitet von einem einzigen + 1.35V Netzteil. Die Geräte bieten eine Datenmaske für die Schreibsteuerung und sind mit einem kommerziellen Temperaturbereich von 0 ° C bis + 95 ° C erhältlich. Der 4Gb DDR3L SDRAM ist auch in einem industriellen Temperaturbereich von -40 ° C bis + 95 ° C erhältlich.
Die 2Gb DDR3 SDRAMs sind intern als acht Bänke mit 16M Wort x 16 Bits konfiguriert, während die 4Gb DDR3 und DDR3L SDRAMs als acht Bänke mit 32M Wort x 16 Bits konfiguriert sind. Alle Geräte unterstützen sequentielle und verschachtelte Burst-Typen mit Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 4 oder 8. Eine automatische Pre-Charge-Funktion bietet eine selbsttaktuelle Zeilenvorladung, die am Ende der Burst-Sequenz eingeleitet wird. Einfach zu bedienende Refresh-Funktionen beinhalten Auto- oder Selbstauffrischung. RoHS-konform, die Geräte sind Blei (Pb) – und halogenfrei.
Geräte-Spezifikationstabelle:
Artikelnummer Density Configuration Power supply Temp. range Package
AS4C128M16D3B-12BCN 2Gb 128M x 16 bit +1.5V 0°C to +95°C 96-ball FBGA
AS4C128M16D3LB-12BCN 2Gb 128M x 16 bit +1.35V 0°C to +95°C 96-ball FBGA
AS4C256M16D3B-12BCN 4Gb 256M x 16 bit +1.5V 0°C to +95°C 96-ball FBGA
AS4C256M16D3LB-12BCN 4Gb 256M x 16 bit +1.35V 0°C to +95°C 96-ball FBGA
AS4C256M16D3LB-12BIN 4Gb 256M x 16 bit +1.35V -40°C to +95°C 96-ball FBGA
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Aufgrund ihrer gesteigerten Funktionalität und Geschwindigkeit ist die Marktnachfrage nach DDR3- und DDR3L-SDRAMs extrem hoch, aber ihre Verfügbarkeit wird immer mehr begrenzt, da die Nachfrage das Angebot übersteigt und die Lieferanten die Kapazität auf Flash und andere Produkte verschieben. Alliance hat jetzt zwei Quellen für 2Gb und 4Gb Teile Silizium, mit der Einführung einer neuen B-Version. Das bedeutet, dass wir trotz Engpässen und Preiserhöhungen im Speichermarkt unsere Kunden beliefern können.
Alliance Memory DDR-Architektur von 2Gb und 4Gb DDR3 und DDR3L SDRAMs ermöglicht es ihnen, extrem schnelle Übertragungsraten von 1600Mbps und Taktraten von 800MHz zu erreichen. Mit minimalem shrinks bieten die Bauteile zuverlässige drop-in-, Pin-for-Pin-kompatibler Ersatz für eine Reihe ähnlicher Lösungen, die in neuartigen Mikroprozessoren für Netzwerk-, Industrie-, Medizin-, Telekommunikations- und Verbraucheranwendungen eingesetzt werden -Beseitigung kostspieliger redisgn und requalifizierung von neuen Bauteilen.
Die 2Gb AS4C128M16D3B-12BCN und 4Gb AS4C256M16D3B-12BCN DDR3 SDRAMs arbeiten von einer einzigen + 1.5V (± 0.075V) Stromversorgung, während die 4 Gb AS4C256M16D3LB-12BCN DDR3L SDRAM arbeitet von einem einzigen + 1.35V Netzteil. Die Geräte bieten eine Datenmaske für die Schreibsteuerung und sind mit einem kommerziellen Temperaturbereich von 0 ° C bis + 95 ° C erhältlich. Der 4Gb DDR3L SDRAM ist auch in einem industriellen Temperaturbereich von -40 ° C bis + 95 ° C erhältlich.
Die 2Gb DDR3 SDRAMs sind intern als acht Bänke mit 16M Wort x 16 Bits konfiguriert, während die 4Gb DDR3 und DDR3L SDRAMs als acht Bänke mit 32M Wort x 16 Bits konfiguriert sind. Alle Geräte unterstützen sequentielle und verschachtelte Burst-Typen mit Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 4 oder 8. Eine automatische Pre-Charge-Funktion bietet eine selbsttaktuelle Zeilenvorladung, die am Ende der Burst-Sequenz eingeleitet wird. Einfach zu bedienende Refresh-Funktionen beinhalten Auto- oder Selbstauffrischung. RoHS-konform, die Geräte sind Blei (Pb) – und halogenfrei.
Geräte-Spezifikationstabelle:
Artikelnummer Density Configuration Power supply Temp. range Package
AS4C128M16D3B-12BCN 2Gb 128M x 16 bit +1.5V 0°C to +95°C 96-ball FBGA
AS4C128M16D3LB-12BCN 2Gb 128M x 16 bit +1.35V 0°C to +95°C 96-ball FBGA
AS4C256M16D3B-12BCN 4Gb 256M x 16 bit +1.5V 0°C to +95°C 96-ball FBGA
AS4C256M16D3LB-12BCN 4Gb 256M x 16 bit +1.35V 0°C to +95°C 96-ball FBGA
AS4C256M16D3LB-12BIN 4Gb 256M x 16 bit +1.35V -40°C to +95°C 96-ball FBGA
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