Infineon Technologies AG kündigte den weltweit ersten NAND-kompatiblen Flash-Chip auf Basis der TwinFlash™ -Technologie an. Entwickelt wurde der 512-Mbit-Flash-Speicherchip von der Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG, einem Joint-Venture von Infineon Technologies und Saifun Semiconductors. Die ersten Produkte werden bereits in Infineons 200-mm-DRAM-Fabrik in Dresden gefertigt.
„Durch die Ergänzung um Flash-Produkte baut Infineon sein Speicherproduktportfolio wesentlich aus und kann seine Speicherproduktion nun flexibel zwischen DRAM und Flash aufteilen“, erläuterte Dr. Harald Eggers, Leiter des Geschäftsbereiches für Speicherprodukte bei Infineon. „Die TwinFlash-Technologie erlaubt uns die Produktion von Flash-Speichern auf vorhandenem Equipment aus der DRAM-Fertigung und damit den Einstieg in einen neuen Markt ohne wesentliche Investitionen in zusätzliche Produktionsanlagen.“
TwinFlash basiert auf Saifuns NROM (Nitrided Read Only Memory)-Technologie, einer leistungsfähigen nichtflüchtigen Speichertechnologie, die von Saifun Semiconductors Ltd. entwickelt wurde und sich in den letzten Jahren bereits als Basis für NOR-Flashs und EEPROMs bewährt hat. Bei dieser Technologie werden zwei (Twin) separate Bits in einer Transistorzelle gespeichert. Im Gegensatz zu vergleichbaren Floating-Gate-Technologien mit nur einem Bit pro Zelle und äquivalenten Prozessstrukturen bietet TwinFlash auf Grund der Speichertechnik mit 2 Bits/Zelle um 40 Prozent kleinere Chip-Abmessungen und weniger Belichtungsmasken, woraus sich äußerst konkurrenzfähige Produktionskosten ergeben. Bis Ende 2004 sind mehr als 10.000 Wafer pro Monat auf Basis der 170-nm-Technologie geplant. Die nächste TwinFlash-Generation mit Strukturen von nur 110-nm befindet sich bereits in Entwicklung. Damit lässt sich die Kostenposition noch weiter verbessern und höhere Dichten mit bis zu 2 Gbit realisieren.
Laut Gartner Dataquest wird der weltweite Markt für NAND-Flash-Speicher um voraussichtlich 30,8 Prozent von US-Dollar 3,36 Milliarden in 2003 auf US-Dollar 4,4 Milliarden in 2004 anwachsen. Infineon beabsichtigt bis 2007 unter den ersten drei Unternehmen im NAND-Flash-Markt zu sein.
„Der NAND-Flash-Markt wird als das am schnellsten wachsende Speichersegment in den nächsten Jahren angesehen“, sagte Dr. Peter Kücher, Geschäftsführer von Infineon Technologies Flash. „Mit der Einführung der TwinFlash-Produktfamilie positioniert sich Infineon bestens, um von dieser Marktsituation zu profitieren.“
Der 512-Mbit-Flash-Speicherchip wird im TSOP-Gehäuse angeboten und zielt auf den Halbleiter-Wechselspeichermarkt mit Produkten wie SD, MMC und Compact-Flash-Karten oder Memory-Sticks, die hauptsächlich in Digitalkameras und PDAs verwendet werden, ab. NAND-Flashs sind auch das bevorzugte Speichermedium für USB-Flash-Laufwerke. Diese werden zum Datenaustausch zwischen PCs und Notebooks oder modernen USB-Laufwerken in MP3-Playern oder Digitalkameras verwendet. NAND-Flash-Chips sind in der Lage, Daten mit hoher Geschwindigkeit zu übertragen, was die Aufnahme und Wiedergabe von Sound und Video in Echtzeit ermöglicht. Da diese Merkmale auch für die neuesten Mobiltelefone mehr und mehr an Bedeutung gewinnen, werden Daten-Flash-Speicher immer häufiger von Mobiltelefonherstellern eingesetzt.
„Durch die Ergänzung um Flash-Produkte baut Infineon sein Speicherproduktportfolio wesentlich aus und kann seine Speicherproduktion nun flexibel zwischen DRAM und Flash aufteilen“, erläuterte Dr. Harald Eggers, Leiter des Geschäftsbereiches für Speicherprodukte bei Infineon. „Die TwinFlash-Technologie erlaubt uns die Produktion von Flash-Speichern auf vorhandenem Equipment aus der DRAM-Fertigung und damit den Einstieg in einen neuen Markt ohne wesentliche Investitionen in zusätzliche Produktionsanlagen.“
TwinFlash basiert auf Saifuns NROM (Nitrided Read Only Memory)-Technologie, einer leistungsfähigen nichtflüchtigen Speichertechnologie, die von Saifun Semiconductors Ltd. entwickelt wurde und sich in den letzten Jahren bereits als Basis für NOR-Flashs und EEPROMs bewährt hat. Bei dieser Technologie werden zwei (Twin) separate Bits in einer Transistorzelle gespeichert. Im Gegensatz zu vergleichbaren Floating-Gate-Technologien mit nur einem Bit pro Zelle und äquivalenten Prozessstrukturen bietet TwinFlash auf Grund der Speichertechnik mit 2 Bits/Zelle um 40 Prozent kleinere Chip-Abmessungen und weniger Belichtungsmasken, woraus sich äußerst konkurrenzfähige Produktionskosten ergeben. Bis Ende 2004 sind mehr als 10.000 Wafer pro Monat auf Basis der 170-nm-Technologie geplant. Die nächste TwinFlash-Generation mit Strukturen von nur 110-nm befindet sich bereits in Entwicklung. Damit lässt sich die Kostenposition noch weiter verbessern und höhere Dichten mit bis zu 2 Gbit realisieren.
Laut Gartner Dataquest wird der weltweite Markt für NAND-Flash-Speicher um voraussichtlich 30,8 Prozent von US-Dollar 3,36 Milliarden in 2003 auf US-Dollar 4,4 Milliarden in 2004 anwachsen. Infineon beabsichtigt bis 2007 unter den ersten drei Unternehmen im NAND-Flash-Markt zu sein.
„Der NAND-Flash-Markt wird als das am schnellsten wachsende Speichersegment in den nächsten Jahren angesehen“, sagte Dr. Peter Kücher, Geschäftsführer von Infineon Technologies Flash. „Mit der Einführung der TwinFlash-Produktfamilie positioniert sich Infineon bestens, um von dieser Marktsituation zu profitieren.“
Der 512-Mbit-Flash-Speicherchip wird im TSOP-Gehäuse angeboten und zielt auf den Halbleiter-Wechselspeichermarkt mit Produkten wie SD, MMC und Compact-Flash-Karten oder Memory-Sticks, die hauptsächlich in Digitalkameras und PDAs verwendet werden, ab. NAND-Flashs sind auch das bevorzugte Speichermedium für USB-Flash-Laufwerke. Diese werden zum Datenaustausch zwischen PCs und Notebooks oder modernen USB-Laufwerken in MP3-Playern oder Digitalkameras verwendet. NAND-Flash-Chips sind in der Lage, Daten mit hoher Geschwindigkeit zu übertragen, was die Aufnahme und Wiedergabe von Sound und Video in Echtzeit ermöglicht. Da diese Merkmale auch für die neuesten Mobiltelefone mehr und mehr an Bedeutung gewinnen, werden Daten-Flash-Speicher immer häufiger von Mobiltelefonherstellern eingesetzt.
