Die erste Modul-Applikation, ein 4,25 Gbit/s Multi-Rate-Transceiver von Infineon, wird auf der Fachmesse ECOC 2004 präsentiert, die vom 6. bis 8. September in Stockholm stattfindet (Halle C, Stand 480).
„Wir wollen die entscheidenden Technologien zur Optimierung des zunehmenden Datenverkehrs auf Glasfaser-Netzwerken in Gigabit-Ethernet-, Fibre-Channel- und SONET/SDH-Technik zur Verfügung zu stellen“, betonte Christian Scherp, Vice President und General Manager des Geschäftsbereiches Drahtgebundene Kommunikation, Infineon Technologies North America. „Der hochintegrierte iLDD stellt eine der vielseitigsten Lösungen auf dem Markt dar. Er ermöglicht unseren Kunden die Entwicklung von glasfaserbasierten Systemen für Backbone- und Zugangsnetzwerke und senkt ihre Gesamtkosten nachhaltig.“
Auf Grund der rapiden Zunahme auf dem Internet basierender Applikationen wie z.B. E-Mail, e-Commerce, Digital-Imaging und vernetzte Datenbanken, werden zum besseren Schutz vor Datenverlust durch Katastrophen und zur Einhaltung gesetzlicher Auflagen bezüglich der Datensicherheit dezentrale Datenspeicher (Storage Area Networks oder SANs) notwendig. Dies führt wiederum zu einer Zunahme des Datenverkehrs und erfordert Fibre-Channel-Schnittstellen, mit denen Firmenkunden ihre dezentralen SAN-Standorte nahtlos und kosteneffizient vernetzen können. Nach einer Erhebung des Marktforschungsunternehmens iSuppli aus dem September 2003 wird der Markt für Gigabit-Ethernet-, Fibre-Channel- und SONET/SDH-Transceiver voraussichtlich von 1,2 Milliarden US-Dollar im Jahr 2003 auf 3,9 Milliarden US-Dollar im Jahr 2008, mit einer durchschnittlichen jährlichen Zuwachsrate von etwa 26 Prozent, ansteigen.
Über iLDD
Der iLDD-Chip unterstützt Datenraten von 155 Mbit/s bis 4,25 Gbit/s. Er weist eine hohe Eingangsempfindlichkeit von 4 mV auf und kann sowohl Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) als auch edge-emitting Laser treiben. Der Baustein ist vollständig MSA SFF-8472-konform und benötigt für den Betrieb nur eine einzige, erweiterte Versorgungsspannung, die zwischen 2,85 V und 3,63 V beträgt. Die Leistungsaufnahme ist mit 200 mW ausgesprochen gering. Der Chip entspricht den Gigabit-Ethernet-, Fibre-Channel- und SONET/SDH-Standards und eignet sich dadurch ideal für Small-Form-Factor - (SFF) und Small-Form-Pluggable- (SFP) Transceiver.
Erste Muster des iLDD-Chips im VQFN-40-Gehäuse sind bereits lieferbar. Die Volumenproduktion ist für das vierte Quartal 2004 geplant.