Die neuen Medien werden mittels der patentierten Tera Ångstrom Technologie hergestellt, einem Beschichtungsverfahren für hochkapazitative Medien mit höchster Zuverlässigkeit und Archivierungsfähigkeit. LTO Ultrium Medien der vierten Generation verfügen mit 1,6 TeraByte (bei 2:1 Kompression) über die doppelte Speicherkapazität von Medien der dritten Generation, bei einer Transferrate von 240 MByte pro Sekunde. Ab der vierten LTO Generation können die Daten beim Schreiben verschlüsselt werden, um die Sicherheit der gespeicherten Daten zu erhöhen.
„Unternehmen sind mit zunehmenden Ansprüchen an Backup- und Restoreanwendungen sowie Disaster Recovery und Datenarchivierung konfrontiert“, erklärt James Milligan, Imation General Manager Americas Commercial and OEM Division. „Umso erfreuter sind wir, der erste Hersteller zu sein, der seine Kunden mit den neuen LTO 4 Medien beliefern kann.“
Bereits führend bei der Herstellung der LTO Generationen 1 bis 3, wird Imation die Medien der vierten Generation in seiner speziell eingerichteten Tera Ångstrom Beschichtungsanlage in Weatherford, Oklahoma herstellen. Die Anlage wurde eigens für die Herstellung von Magnetbändern der TeraByte Klasse errichtet.
Subodh Kulkarni, Imation Vice President, R&D und Herstellung, erklärt: „Dank der patentierten Tera Angstrom Technologie verfügen Imations LTO Ultrium 4 Cartridges über höhere Spurdichten, dünnere Trägersubstanzen und dichtere Head-Tape Interface Toleranzen.“
Die Belastbarkeit der Imation LTO Ultrium Tape Cartridges wird durch den Einsatz einer Reihe von Imation entwickelten und patentierten Technologien optimiert:
· Der „Corner-Snap” Mechanismus (Schnappverschluss an der Cartridgekante) verbessert die Stabilität der Cartridge, fixiert den Bandführungsstift und hält die Cartridge auch bei unsachgemäßer Handhabung fest verschlossen.
· Die dreiteilige Bandspule verteilt die Belastung gleichmäßig über die Bandoberfläche. Das führt zu verbesserter Leistung und längerer Archivierungsfähigkeit.
Über Linear Tape Open (LTO) Technologie
Die LTO-Technologie ist ein leistungsstarkes, skalierbares, offenes Bandspeicherformat, das von den Laufwerkherstellern Certance, Hewlett Packard und IBM gemeinsam entwickelt wurde, um den wachsenden Ansprüchen an Datensicherheit in mittleren Netzwerkumgebungen und in Rechenzentren zu begegnen. Die neue Generation von LTO Ultrium-Bandspeichern nutzt die Vorteile der linearen, mehrkanaligen, bidirektionalen Formate und verbindet sie mit den neuesten Entwicklungen in den Bereichen Servospurtechnik, Datenkomprimierung, Spurlayout und Fehlerkorrektur. LTO Ultrium Tape bieten herausragende Leistung, Kapazität und Zuverlässigkeit.
Die Entwicklung der Ultrium-Formate folgt einem exakten Zeitplan. Mit jeder neuen Generation ist die Verdoppelung der Speicherkapazität und des Datendurchsatzes vorgesehen. Um die Austauschbarkeit der verschiedenen Generationen der Ultrium Produkte untereinander zu gewährleisten, wird die Einhaltung der LTO-Norm von unabhängiger Stelle überprüft. Die offenen LTO-Spezifikationen sind auf Lizenzbasis erhältlich.
Über Imations Tera Ångstrom Technologie
Imations Tera Ångstrom Technologie basiert auf drei patentierten Technologien:
Impingement-Prozess: Unter Einsatz der Hochdruck-Impingementtechnologie werden die Partikel mit einem Druck von über 700 bar (>10.000 psi, pounds per square inch) gegeneinander geschossen. Aneinander geballte Magnetpartikel werden so auseinander gesprengt und in nanometergroße Elemente getrennt. Kleinere Partikelgrößen und die gleichmäßige Verteilung der Partikel erhöhen die Homogenität der Magnetbandbeschichtung.
Ruhetrocknungsverfahren: Eine ausgewogene Trocknungsumgebung mit niedriger Ventilationsgeschwindigkeit und Magnetspulen zur gleichförmigen Partikelorientierung eliminieren Störungen der Beschichtung und richten die Partikel präzise aus. Dies ermöglicht eine maximale Bit-Dichte und deutlich gesteigerte Speicherkapazitäten.
Zwischenkalandrierungsverfahren: Walzen mit extrem glatter Oberfläche komprimieren die Bandoberfläche, um eine Oberflächenglätte im Ångstrom-Bereich zu erreichen. (Die Maßeinheit Ångstrom entspricht einem Zehntel Nanometer.) Diese Oberflächenglätte und Homogenität ermöglicht die gesteigerte Bit- und Spurdichte der neuen hochkapazitativen Magnetbandcartridges.