IBM (NYSE: IBM) und die Micron Technology Inc. haben bekannt gegeben, dass Micron mit der Produktion eines neuen Speichers unter erstmaligem kommerziellem Einsatz einer CMOS-Fertigungstechnologie mit Through-Silicon-Vias (TSV) beginnen wird. Der innovative TSV-Chip-Herstellungsprozess der IBM ermöglicht es, die Geschwindigkeit des Hybrid-Memory-Cube (HMC) von Micron um das bis zu 15-fache gegenüber heutiger Technologie zu steigern.
IBM plant, Einzelheiten der TSV-Herstellungswegs auf dem IEEE International Electron Devices Meeting am 5. Dezember in Washington, DC, USA, vorzustellen. HMC-Komponenten sollen in der modernsten IBM Fabrik für Halbleitertechnologie in East Fishkill, NY, unter Einsatz der 32nm-High-K-Metal-Gate-Prozesstechnologie hergestellt werden
Die HMC-Technologie setzt Through-Silicon-Vias ein: Dies sind vertikale Leiterbahnen, die einen Stapel verschiedener Chips miteinander verbinden. Sie kombinieren Hochleistungslogik mit der DRAM-Technologie von Micron.
HMC liefert eine Bandbreite und Effizienz, die den Fähigkeiten derzeitiger Geräte voraus ist. HMC-Prototypen beispielsweise arbeiten mit einer Bandbreite von 128 GB/s. Im Vergleich dazu liefern aktuelle Geräte eine Bandbreite von 12,8 GB/s. Zudem benötigt HMC 70 Prozent weniger Energie zur Übertragung von Daten und hat gleichzeitig einen geringeren Platzverbrauch - nur 10 Prozent der Grundfläche von konventionellen Speichern.
HMC wird voraussichtlich ein neues Leistungsniveau für viele Anwendungsbereiche ermöglichen, beispielsweise für sehr große Netzwerke, High-Performance Computing, industrielle Automation und am Ende auch für Verbraucherprodukte.
Über Micron:
Micron Technology, Inc., (NASDAQ: MU) ist einer der weltweit führenden Anbieter von Halbleiter-Lösungen. Micron ist ein weltweit handelndes Unternehmen, das eine breite Palette von Produkten herstellt und vertreibt. Darunter DRAM, NAND-und NOR-Flash-Speicher sowie weitere innovative Speichertechnologien, Verpackungslösungen und Halbleiter-Systeme. Weitere Informationen über Micron erhalten Sie unter www.micron.com.
Über IBM:
Weitere Informationen über IBM Halbleiterprodukte und Fertigungsprozesse unter www.ibm.com/chips
IBM plant, Einzelheiten der TSV-Herstellungswegs auf dem IEEE International Electron Devices Meeting am 5. Dezember in Washington, DC, USA, vorzustellen. HMC-Komponenten sollen in der modernsten IBM Fabrik für Halbleitertechnologie in East Fishkill, NY, unter Einsatz der 32nm-High-K-Metal-Gate-Prozesstechnologie hergestellt werden
Die HMC-Technologie setzt Through-Silicon-Vias ein: Dies sind vertikale Leiterbahnen, die einen Stapel verschiedener Chips miteinander verbinden. Sie kombinieren Hochleistungslogik mit der DRAM-Technologie von Micron.
HMC liefert eine Bandbreite und Effizienz, die den Fähigkeiten derzeitiger Geräte voraus ist. HMC-Prototypen beispielsweise arbeiten mit einer Bandbreite von 128 GB/s. Im Vergleich dazu liefern aktuelle Geräte eine Bandbreite von 12,8 GB/s. Zudem benötigt HMC 70 Prozent weniger Energie zur Übertragung von Daten und hat gleichzeitig einen geringeren Platzverbrauch - nur 10 Prozent der Grundfläche von konventionellen Speichern.
HMC wird voraussichtlich ein neues Leistungsniveau für viele Anwendungsbereiche ermöglichen, beispielsweise für sehr große Netzwerke, High-Performance Computing, industrielle Automation und am Ende auch für Verbraucherprodukte.
Über Micron:
Micron Technology, Inc., (NASDAQ: MU) ist einer der weltweit führenden Anbieter von Halbleiter-Lösungen. Micron ist ein weltweit handelndes Unternehmen, das eine breite Palette von Produkten herstellt und vertreibt. Darunter DRAM, NAND-und NOR-Flash-Speicher sowie weitere innovative Speichertechnologien, Verpackungslösungen und Halbleiter-Systeme. Weitere Informationen über Micron erhalten Sie unter www.micron.com.
Über IBM:
Weitere Informationen über IBM Halbleiterprodukte und Fertigungsprozesse unter www.ibm.com/chips
