Integrierte Schaltkreise in Form von Chips und Mikrochips bilden heute die Grundlage jeglicher komplexer Elektronik: z.B. im Auto, im Smartphone oder ganz klassisch im Computer. Grundlage für die Herstellung von Chips bilden Wafer. Bei der Produktion von Wafern gelten strenge Richtlinien und sowohl bei der Materialzusammensetzung als auch der Oberflächenbeschaffenheit und Struktur werden nur sehr geringe Abweichungen toleriert. Die Prüfung der Materialien und fertigen Wafer ist deshalb sowohl im Bereich der Forschung & Entwicklung als auch während der Produktion und zur Fehleranalyse unentbehrlich.
Zur Analyse der mikroskopischen Strukturen der Wafer müssen diese an einer definierten Bruchkante geteilt werden. Dafür werden mit Hilfe eines Härteprüfgerätes von Hegewald & Peschke mit definierter Kraft und präziser Wiederholgenauigkeit Sollbruchstellen auf dem Waferstück gesetzt. Der Knoop-Eindringkörper des Härteprüfers hinterlässt auf dem Waferstück einen rhombischen Pyramideneindruck. Durch den Winkel-Drehtisch des Härteprüfgerätes wird sichergestellt, dass die Eindrücke senkrecht zu den kristallografischen Hauptachsen des Siliziumeinkristalls verlaufen und Initialrisse zwischen den Spitzen der Eindrücke auftreten. Beim anschließenden Brechen des Waferstücks verläuft die Bruchkante mikroskopisch genau durch die anvisierte Struktur, so dass deren Querschnitt im Anschluss im Rasterelektronenmikroskop charakterisiert werden kann.
Die Methode der Bruchkantenerzeugung mit dem Härteprüfer stellt eine kostenattraktive Alternative zu teuren Spezialgeräten dar und hat sich im Einsatz optimal bewährt.
Zur Analyse der mikroskopischen Strukturen der Wafer müssen diese an einer definierten Bruchkante geteilt werden. Dafür werden mit Hilfe eines Härteprüfgerätes von Hegewald & Peschke mit definierter Kraft und präziser Wiederholgenauigkeit Sollbruchstellen auf dem Waferstück gesetzt. Der Knoop-Eindringkörper des Härteprüfers hinterlässt auf dem Waferstück einen rhombischen Pyramideneindruck. Durch den Winkel-Drehtisch des Härteprüfgerätes wird sichergestellt, dass die Eindrücke senkrecht zu den kristallografischen Hauptachsen des Siliziumeinkristalls verlaufen und Initialrisse zwischen den Spitzen der Eindrücke auftreten. Beim anschließenden Brechen des Waferstücks verläuft die Bruchkante mikroskopisch genau durch die anvisierte Struktur, so dass deren Querschnitt im Anschluss im Rasterelektronenmikroskop charakterisiert werden kann.
Die Methode der Bruchkantenerzeugung mit dem Härteprüfer stellt eine kostenattraktive Alternative zu teuren Spezialgeräten dar und hat sich im Einsatz optimal bewährt.
