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Nitronex entwickelt GaN-auf-Si-Produkte für 48 V mit 190 und 240 Watt für WiMAX- und LTE-Anwendungen

(PresseBox) (Heilbronn, )
Nitronex (Vertrieb: Globes Elektronik), ein innovativer Entwickler und Hersteller von HF-Leistungstransistoren hoher Performance für die kommerziellen Funkinfrastruktur- und die Breitband-Märkte, kündigt den NPT25190 und den NPT25240 an. Das sind die ersten Produkte der anstehenden 48-V-Produktlinie und als Hochleistungsbauteile für Ausgangsstufen zwischen 2,3 und 2,7 GHz gedacht. Die typische Performance liegt bei der Verwendung einer Mobilfunk-WiMAX-Wellenform, die definiert ist als Einzelträger-OFDM-Signal 64-QAM ¾, 8 Burst, Kanalbandbreite 7 MHz, 10,3dB PAR @ 0,01% Wahrscheinlichkeit bei CCDF. Unter diesen Testbedingungen liefert der NPT25190 15 dB Verstärkung (typisch), 22 % Wirkungsgrad und weniger als 2,5 % EVM – bei > 24 W Leistung bei erhöhten Flanschtemperaturen (> 95°C), wie sie die Systeme der nächsten Generation erfordern.

„Wir haben versucht, die Anforderungen zu berücksichtigen, die von den entstehenden Standards bei WiMAX und Mobilfunk angetrieben werden“, sagte Kevin Linthicum, technischer Leiter und Vizepräsident Technik bei Nitronex. „Die Systeme nach 802.16E und LTE möchten mehr Leistung in immer kleinere Einbauflächen packen und dabei die Kanalbandbreite und die Peak-to-Average Ratio (PAR) erhöhen. Die Bauteile von Nitronex, die auf unserem SIGANTIC®-Prozess basieren, sind bereit, sich diesen Herausforderungen zu stellen.”

Die ersten geplanten Produkte werden für WiMAX- und 3G/3G LTE-Wellenformen entwickelt werden, die in den Frequenzbändern von 2,3 bis 2,7 GHz arbeiten sollen. Treiber-Bausteine für 48 V bzw. für den Betrieb bei 1,8 bis 2,2 GHz werden als Teile dieser Produktfamilie entwickelt. Muster sind für das 3. Quartal ’07 geplant, die Serienproduktion soll im 4. Quartal ’07 starten. Eine Produktvorschau für den NPT25190 und den NPT25240 sind über Globes verfügbar.

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Nitronex, die sich auf die Entwicklung und Fertigung von Galliumnitrid-(GaN-)Hochfrequenzbauteilen spezialisiert hat, ist Weltmarktführer bei Hochfrequenz-Leistungstransistoren hoher Performance in GaN-auf-Silizium-Technologie (GaN on Si) für die kommerziellen Funkinfrastruktur, Breitband- und militärischen Märkte. Auf Grundlage seines patentierten SIGANTIC®-Prozesses für Galliumnitrid-auf-Silizium-Technologie liegt Nitronex an vorderster Front bei der Markteinführung der GaN-Technologie für HF-Anwendungen. Die Fähigkeit der Firma, die Disziplinen Aufwachsen von Material, Wafer-Verarbeitung, Bauteilkonstruktion und Kenntnisse über Funkanwendungen zu kombinieren, ist in der Branche einzigartig.
Nitronex wurde 1999 von Absolventen des Programms für hohe Bandlücken an der North Carolina State University gegründet und hat seinen Hauptsitz in Durham, North Carolina. Die Firma hält 19 Patente, 19 weitere sind angemeldet.
Nähere Informationen unter www.globes.de

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