Fraunhofer ENAS verleiht Forschungspreis für Entwicklung von Technologien für 3D-Integration in MEMS-Anwendungen

Der Preisträger des Fraunhofer ENAS-Forschungspreises 2018, Dr. Lutz Hofmann (Mitte) mit dem
kommissarischen Institutsleiter des Fraunhofer ENAS, Prof. Dr. Thomas Otto (2. v. r.), der Vorsitzenden
des Forschungspreiskomitees, Prof. Dr. Karla Hiller (2. v. l.) und dem Abteilungsleiter der Abteilung
Back-End of Line und stellvertretenden Institutsleiter des Fraunhofer ENAS, Prof. Dr. Stefan E.
Schulz (r.) sowie dem Laudator Dr. Roy Knechtel (l.) von der Firma X-FAB Semiconductor Foundries
GmbH... (PresseBox) ( Chemnitz, )
Dr. Lutz Hofmann erhielt den Forschungspreis des Fraunhofer ENAS 2018. Mit seinen Forschungsergebnissen zur 3D-Integration und kupfergefüllten Durchkontakten in Mikrosystemen trug er zum Expertenstatus des Chemnitzer Fraunhofer-Institut für Elektronische Nanosysteme ENAS als eines der weitweit wenigen Forschungsinstituten auf diesem Gebiet bei.

Der mit 5.000 Euro dotierte Forschungspreis des Fraunhofer-Instituts für Elektronische Nanosysteme ENAS wurde 2018 an Dr. Lutz Hofmann verliehen. Der Chemnitzer Wissenschaftler und Ingenieur erforscht Technologien, die für die dreidimensionalen Integration (3D-Integration) in mikro-elektromechanische Systeme (MEMS) benötigt werden. Mit Hilfe dieser Integrationstechnologien lassen sich MEMS in Module und Systeme integrieren, die einen hohen Miniaturisierungsgrad oder auch besonders dünne Formfaktoren aufweisen.

Mit seiner Arbeit hat Lutz Hofmann dem Fraunhofer ENAS in Chemnitz auf dem speziellen Forschungsgebiet der Durchkontakte (TSV) für Mikrosysteme zu einem Expertenstatus verholfen. Der namhafte Marktanalyst Yole Développement führt das Chemnitzer Institut als eines von drei europäischen, neben dem renommierten französichen Forschungsinstitut CEA-Leti und dem belgischen IMEC, und als eines von weltweit nur sechs Forschungsinstituten in diesem Fachgebiet auf.

Mit der Dissertation »3D-Wafer Level Packaging approaches for MEMS by using Cu-based High Aspect Ratio Through Silicon Vias« promovierte Dr. Hofmann 2017 an der TU Chemnitz. Bereits 2015 erhielt er mit einer Veröffentlichung zum Thema 3D-Integration auf der »International Wafer Level Packaging Conference (IWLPC)« in San Jose, USA, die Auszeichnung für die beste Konferenzpublikation.

Mit dem Fraunhofer ENAS-Forschungspreis werden die herausragenden Ergebnisse in der Entwicklung unterschiedlicher TSV-basierter Technologiekonzepte für den Aufbau von 3D-Packages für MEMS auf Waferebene honoriert. Dabei sind vor allem die umfassende Behandlung sowohl detaillierter Einzelprozesse und Prozessabläufe als auch der vergleichenden, anwendungsorientierten Entwicklung verschiedener Technologieansätze hervorzuhoben als auch die Ergebnisse zur Integration sehr dünner MEMS, z.B. für Smartcard/Chipcard-Anwendungen.

Im Rahmen seiner Forschungsarbeit baute Dr. Hofmann ein weitreichendes Netzwerk an Kooperationen mit externen Partnern aus Industrie und Forschung auf. So war er beispielsweise an Forschungsprojekten im Leistungszentrum Funktionsintegration für die Mikro- und Nanoelektronik beteiligt und setzte seine Erkenntnisse in Industrieaufträgen und Verbundprojekten für die Verwertung in 3D-Technologien und Produktanwendungen um.

Titel:Der Preisträger des Fraunhofer ENAS-Forschungspreises 2018, Dr. Lutz Hofmann (Mitte) mit dem kommissarischen Institutsleiter des Fraunhofer ENAS, Prof. Dr. Thomas Otto (2. v. r.), der Vorsitzenden des Forschungspreiskomitees, Prof. Dr. Karla Hiller (2. v. l.) und dem Abteilungsleiter der Abteilung Back-End of Line und stellvertretenden Institutsleiter des Fraunhofer ENAS, Prof. Dr. Stefan E. Schulz (r.) sowie dem Laudator Dr. Roy Knechtel (l.) von der Firma X-FAB Semiconductor Foundries GmbH in Erfurt.
Foto © Fraunhofer ENAS, Ines Escherich
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