Highend AC-DC-Schaltnetzteile (SMPS), die beispielsweise in Server-, Telekommunikations-, Computer- und industrielle Leistungsanwendungen eingesetzt werden, erfordern eine hohe Leistungsdichte. Zudem benötigen die Entwickler kostengünstige Lösungen, die weniger Leiterplattenfläche beanspruchen und die Zuverlässigkeit verbessern. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) unterstützt die Entwickler bei diesen Herausforderungen mit der neuen 600 V N-Kanal-SuperFET® II MOSFET-Serie.
Die MOSFETS sind in zwei Produktfamilien erhältlich, SuperFET II und SuperFET II Easy Drive, die sich durch eine geringere gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität (Eoss) auszeichnen, was einen höheren Wirkungsgrad bei geringer Last ermöglicht. Außerdem gewährleistet die erstklassige robuste Body-Diode eine erhöhte Systemzuverlässigkeit in Resonanzwandlern.
Durch den Einsatz einer fortschrittlichen Ladungsgleichgewichtstechnologie erreichen diese MOSFETs einen merklich niedrigeren Durchlasswiderstand und eine geringere Gate-Ladung (Qg), so dass sich ein niedrigerer Gütefaktor (FOM) ergibt. Die Bauteile beinhalten mehrere integrierte Funktionen, welche das Design vereinfachen und die Anzahl der benötigten Komponenten reduzieren. Dadurch ergibt sich ein effizienteres, kostengünstigeres Design einschließlich eines Gate-Widerstands (Rg), welcher die Gate-Oszillation deutlich verringert und die Leistung des Gesamtsystems verbessert.
Vorteile und Merkmale:
SuperFET II MOSFET
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM
Die MOSFETS sind in zwei Produktfamilien erhältlich, SuperFET II und SuperFET II Easy Drive, die sich durch eine geringere gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität (Eoss) auszeichnen, was einen höheren Wirkungsgrad bei geringer Last ermöglicht. Außerdem gewährleistet die erstklassige robuste Body-Diode eine erhöhte Systemzuverlässigkeit in Resonanzwandlern.
Durch den Einsatz einer fortschrittlichen Ladungsgleichgewichtstechnologie erreichen diese MOSFETs einen merklich niedrigeren Durchlasswiderstand und eine geringere Gate-Ladung (Qg), so dass sich ein niedrigerer Gütefaktor (FOM) ergibt. Die Bauteile beinhalten mehrere integrierte Funktionen, welche das Design vereinfachen und die Anzahl der benötigten Komponenten reduzieren. Dadurch ergibt sich ein effizienteres, kostengünstigeres Design einschließlich eines Gate-Widerstands (Rg), welcher die Gate-Oszillation deutlich verringert und die Leistung des Gesamtsystems verbessert.
Vorteile und Merkmale:
SuperFET II MOSFET
- Höhere Schaltgeschwindigkeit für maximale Systemeffizienz
- Erhöhte Leistungsdichte
- Einfaches Design und Einsatz
- Optimiertes Schaltverhalten
- Geringe elektromagnetische Störungen (EMI)
- Zuverlässiger Betrieb bei anormalen Betriebsbedingungen
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM
