Die Entwickler von Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen und Schweißanlagen müssen die Energieeffizienz ihrer elektronischen Schaltungen verbessern und gleichzeitig die Wärmeentwicklung und die Anzahl der benötigten Bauteile reduzieren. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) hat eine Reihe von 650V IGBTs für Photovoltaik-Wechselrichter entwickelt, mit denen sich diese Herausforderungen erfüllen lassen. Weitere Informationen und Muster sind erhältlich unter:
http://www.fairchildsemi.com/...
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Die Field Stop IGBT Technologie von Fairchild Semiconductor ermöglicht den Entwicklern sehr zuverlässige System-Designs mit höheren Eingangsspannungen. Dabei kann besonders, wenn es auf geringe Leitungs- und Schaltverluste ankommt, eine optimale Leistung erreicht werden. Die 650V IGBTs mit antiparallel geschalteten Dioden bieten eine hohe Strombelastbarkeit, einen positiven Temperaturkoeffizienten, enge Toleranzbereiche und einen weiten sicheren Arbeitsbereich.
Die erhöhte Durchbruchsspannung verbessert die Zuverlässigkeit bei negativen Umgebungstemperaturen, da sich die IGBT- und Dioden-Sperrspannung bei sinkender Temperatur vermindert. Dadurch ist dieses Bauteil besonders für den Einsatz in Solarwechselrichtern in kälteren Klimazonen geeignet. Für das Erreichen eines maximalen Wirkungsgrads ist eine sorgfältige Auswahl der IGBTs und Dioden entscheidend. Der 650V IGBT zeichnet sich durch eine schnelle und sanfte Recovery aus, so dass die Verlustleistung reduziert und geringe Ein- und Ausschaltverluste erreicht werden.
Funktionen und Vorteile:
- Höhere Sperrspannung ohne Kompromisse hinsichtlich der Leistung
- Positiver Temperaturkoeffizient für einen einfachen Parallelbetrieb.
- Hohe Strombelastbarkeit ermöglicht leistungsfähige DC-AC-Umwandlung
- Maximale Sperrschichttemperatur: TJ=175oC
- Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat)= 1,9V(Typ.) @ Ic=40A / 60A Nennstrom
- Kurze Schaltzeiten ermöglichen einen hohen Systemwirkungsgrad
- Geringe Leitungs- und Schaltverluste
- Großer sicherer Arbeitsbereich (SOA - Safe Operating Area) erlaubt eine höhere Verlustleistung
- Geringe Parameterstreuung
- ROHS konform
Preis: US-Dollar ab 1.000 Stück
FGA40N65SMD: $2,98
FGA60N65SMD: $4,03
Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage ab sofort erhältlich.
Lieferzeit: 8-12 Wochen
Kontakt:
Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/....
Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.
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Die Field Stop IGBT Technologie von Fairchild Semiconductor ermöglicht den Entwicklern sehr zuverlässige System-Designs mit höheren Eingangsspannungen. Dabei kann besonders, wenn es auf geringe Leitungs- und Schaltverluste ankommt, eine optimale Leistung erreicht werden. Die 650V IGBTs mit antiparallel geschalteten Dioden bieten eine hohe Strombelastbarkeit, einen positiven Temperaturkoeffizienten, enge Toleranzbereiche und einen weiten sicheren Arbeitsbereich.
Die erhöhte Durchbruchsspannung verbessert die Zuverlässigkeit bei negativen Umgebungstemperaturen, da sich die IGBT- und Dioden-Sperrspannung bei sinkender Temperatur vermindert. Dadurch ist dieses Bauteil besonders für den Einsatz in Solarwechselrichtern in kälteren Klimazonen geeignet. Für das Erreichen eines maximalen Wirkungsgrads ist eine sorgfältige Auswahl der IGBTs und Dioden entscheidend. Der 650V IGBT zeichnet sich durch eine schnelle und sanfte Recovery aus, so dass die Verlustleistung reduziert und geringe Ein- und Ausschaltverluste erreicht werden.
Funktionen und Vorteile:
- Höhere Sperrspannung ohne Kompromisse hinsichtlich der Leistung
- Positiver Temperaturkoeffizient für einen einfachen Parallelbetrieb.
- Hohe Strombelastbarkeit ermöglicht leistungsfähige DC-AC-Umwandlung
- Maximale Sperrschichttemperatur: TJ=175oC
- Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat)= 1,9V(Typ.) @ Ic=40A / 60A Nennstrom
- Kurze Schaltzeiten ermöglichen einen hohen Systemwirkungsgrad
- Geringe Leitungs- und Schaltverluste
- Großer sicherer Arbeitsbereich (SOA - Safe Operating Area) erlaubt eine höhere Verlustleistung
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